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二氧化锡纳米线自催化生长及其发光特性研究
随着人们对纳米材料研究的不断深入，纳米材料的制备技术也得到了快速发展。通过各种制备方法，例如溶剂热法、磁控溅射法、气相沉积法等，可以制备出多种纳米结构。相比于其他制备方法，气相沉积法具有制备高品质纳米材料、控制尺寸和形状的优势，因此是目前制备纳米材料的主要方法之一。
二氧化锡是一种广泛应用于半导体器件、太阳能电池、气体传感器等领域的材料。纳米二氧化锡由于其特殊的材料性质，在传感器、催化等领域也具有广泛应用前景。在二氧化锡纳米材料的制备方法中，自催化法的优势明显，由于其无需外部催化剂和高温气氛，仅需在低温条件下制备，制备过程简单方便，同时产量也较高。
本文研究了二氧化锡纳米线自催化生长及其发光特性。使用了自制的夹持镍丝装置，在低氧气保护下，采用气相沉积法制备了二氧化锡纳米线。得到的样品经过扫描电子显微镜（SEM）观察，显示出纳米线的直径约为50nm，长度为数百微米左右，同时可以看到纳米线的表面较为光滑，不易出现污染。
在得到的样品中，我们发现纳米线表面明显存在较多的缺陷，这对于其光学特性具有重要意义。通过自组装实验，将纳米线自组装成立方体结构，然后进行荧光猝灭实验，发现其在短波长紫外光的激发下，具有明显的猝灭效应，表明纳米线表面的缺陷具有很好的光学响应特性。同时实验结果还显示，纳米二氧化锡可以发出绿色荧光，在不同的激发波长下绿色荧光的强度也有所变化。
最后，为了探究其发光机制，我们进行了纳米线的光致发光实验。实验中使用激光的波长为325nm的紫外激发光，得到了不同时间段内的发光强度数据。实验数据显示，在激发光照射下，纳米线表面的缺陷会促发能量转移，使能够将紫外光转换为可见光，从而在绿色光区域产生发光。
总的来说，本文研究了二氧化锡纳米线自催化生长及其发光特性。利用气相沉积法制备了直径为50nm，长度为数百微米的二氧化锡纳米线，同时探究了其光学特性，发现纳米线表面的缺陷能够很好的响应光学响应。通过光致发光实验，确定了纳米线短波长光激发下产生绿色荧光的发光机制。这些研究将对纳米材料的应用和性能提升有着积极的意义。