二氧化钒薄膜相变特性及其制备研究进展.docx
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二氧化钒薄膜相变特性及其制备研究进展.docx
二氧化钒薄膜相变特性及其制备研究进展一、引言钒是一种重要的稀土元素,在工业和科技领域有着广泛的应用,尤其是其化合物,在能源存储、催化剂以及传感器等领域有着重要的作用。其中,二氧化钒具有优异的电学性能和热稳定性,在透明导电膜、锂离子电池等领域有着广泛的应用前景。然而,二氧化钒薄膜在不同温度下会出现相变现象,对于其性能和应用也有着重要影响。因此,本文将重点介绍二氧化钒薄膜相变特性及其制备的研究进展。二、二氧化钒薄膜的相变特性二氧化钒在0~1000K的温度范围内存在多个相态,其中,常见的相态有V2O5、VO2和
具有相变特性的氧化钒薄膜制备与光学特性研究的综述报告.docx
具有相变特性的氧化钒薄膜制备与光学特性研究的综述报告氧化钒具有良好的光学特性和电学特性,在光电领域有着广泛的应用。近年来,研究人员发现氧化钒薄膜具有相变特性,并且这种特性会对其光学性质产生影响。因此,制备具有相变特性的氧化钒薄膜并深入研究其光学特性具有重要的研究意义。本文就氧化钒薄膜的制备和光学特性进行综述。制备氧化钒薄膜的方法主要有物理气相沉积、化学气相沉积、溅射和激光热解等。其中,物理气相沉积和化学气相沉积技术具有比较高的制备纯度和可控性,因此在氧化钒薄膜的制备中得到了广泛应用。相变是氧化钒薄膜在温度
在金属基底上制备具有相变特性纳米二氧化钒薄膜的方法.pdf
本发明公开了一种在金属基底表面制备具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的方法,步骤为:(1)对硅基片表面清洗,(2)采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜,(3)采用磁控溅射方法,在二氧化硅/硅基片上沉积金属薄膜,(4)采用射频磁控溅射方法在金属表面制备氧化钒薄膜,(5)将制得的氧化钒/金属/二氧化硅/硅多层薄膜结构置于管式退火炉中于400-500℃热处理,得到具有相变特性的二氧化钒薄膜。本发明的方法可与MEMS工艺兼容,可控性能高,薄膜性能稳定,金属态与半导体态区别明显,相变过程连续可逆,可
具有相变特性的氧化钒薄膜制备与光学特性研究的任务书.docx
具有相变特性的氧化钒薄膜制备与光学特性研究的任务书任务书1.研究背景氧化钒是一种重要的过渡金属氧化物,具有丰富的物理和化学性质,广泛应用于电子器件、传感器、储能材料等领域。相变是物质性质发生根本性变化的一种重要现象,具有许多独特的性质和应用潜力。因此,研究具有相变特性的氧化钒薄膜制备与光学特性对于深入理解其性质和拓宽其应用领域具有重要意义。2.研究目的本课题的目的是制备具有相变特性的氧化钒薄膜,并研究其光学特性。具体目标如下:1)设计并制备氧化钒薄膜样品;2)利用表面分析技术对薄膜进行表征和精确测量;3)
二氧化钒薄膜低温制备及其太赫兹调制特性研究.docx
二氧化钒薄膜低温制备及其太赫兹调制特性研究二氧化钒(VO2)是一种具有相变性质的材料,在室温下具有绝缘性,而在高温下则呈现金属性。这种相变特性使得二氧化钒成为研究和应用中的热点材料之一。钒氧化物的相变不仅在光学、电学和热学等性质上产生明显的变化,还可以用来制备可调控光学器件。因此,研究VO2的低温制备和其太赫兹调制特性对于光学、电子和通信领域具有一定的重要性。首先,我们需要探讨VO2的低温制备方法。目前,常用的VO2薄膜制备方法主要包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。在PVD方法中,通过热