CF_2在Au团簇上吸附的密度泛函理论研究.docx
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CF_2在Au团簇上吸附的密度泛函理论研究随着科技的不断进步和工业的不断发展,各种化学反应和材料性质的表征成为了研究的热点和重要任务。密度泛函理论作为计算材料性质和反应的有效手段,已经成为了研究化学反应机理和定量物理化学的重要工具。本文以CF_2分子在Au团簇上吸附为例,通过密度泛函理论的模拟和计算,探讨了这一过程的机理和性质。首先,根据密度泛函理论的基本原理和DFT方法的实现,我们采用了VASP软件对CF_2吸附在Au团簇上的过程进行了模拟计算。VASP(ViennaAbinitioSimulation
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Mg_3N_2团簇吸附H的密度泛函理论研究引言Mg_3N_2是一种重要的材料,被广泛应用于电池、储氢材料和催化剂等领域。吸附氢是其应用领域之一,因此对Mg_3N_2的H吸附性质进行研究具有重要意义。本研究采用密度泛函理论方法,对Mg_3N_2团簇吸附H的能量变化、电子结构、电荷转移等性质进行了研究。方法本研究采用VASP软件包进行计算,采用GGA(PBE)泛函,赝势为PAW。晶格参数和原子位置采用实验值。对于Mg_3N_2团簇的计算,选择了最近邻的3个原子来表示。首先进行了优化计算,得到了最稳定结构,随后
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