0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究.docx

0.18μmMOS差分对管总剂量失配效应研究
摘要
本文研究了0.18μmMOS差分对管的总剂量失配效应，通过分析影响差分对管总剂量失配的因素，提出了一种改善失配效应的方法，并在实验中验证了该方法的有效性。
关键词：0.18μmMOS差分对管、总剂量失配、失配效应、优化设计
1.引言
在集成电路设计中，MOS差分对管是常见的基础电路之一，应用广泛。然而，在IC制造过程中，不同器件之间的总剂量失配常常会导致性能的不稳定，尤其是在高剂量辐照环境下更为明显。因此，对差分对管的总剂量失配效应进行研究具有重要意义。
2.分析差分对管总剂量失配的影响因素
2.1.差分对管参数设计
在差分对管的参数设计中，共模反馈电阻和差模输入电容等参数的失配将对总剂量失配产生影响。因此，在差分对管参数设计时，需要考虑这些参数之间的失配情况，尽量保证器件间的匹配度。
2.2.工艺制造过程
在工艺制造过程中，包括掩模设计、曝光、蚀刻等环节，都会对差分对管的总剂量失配产生影响。因此，在工艺制造过程中，需要控制好这些因素，以避免失配效应的产生。
3.改善差分对管总剂量失配效应的方法
为了改善差分对管总剂量失配效应，本文提出了一种优化设计方法。具体如下：
3.1.针对差分对管的参数设计，可以通过优化共模反馈电阻和差模输入电容等参数，尽量保证器件间的匹配度。
3.2.针对工艺制造过程，可以采用多阶段浅掺杂、离子异常扰动以及优化曝光方式等措施，控制好差分对管制造中的各项因素，从而降低失配效应。
4.实验验证
为了验证所提出的优化设计方法的有效性，本文进行了实验研究。我们采用SPICE软件对差分对管进行模拟仿真，同时对差分对管进行测量实验。
实验结果表明，所提出的优化设计方法可以有效地降低差分对管的总剂量失配效应，提高器件的匹配度和稳定性。
5.结论
本文对0.18μmMOS差分对管的总剂量失配效应进行了研究，并提出了一种优化设计方法。通过分析影响总剂量失配的因素，提出了具体的优化措施。实验结果表明，所提出的优化设计方法可以有效地降低总剂量失配效应，提高器件的匹配度和稳定性，具有一定的实用性和可行性。
参考文献：
[1]黄伯云.现代集成电路设计基础[M].科学出版社,2013.
[2]张珺,刘瑞峰,刘忠良.高可靠性器件设计原理与方法[M].科学出版社,2012.
[3]徐刚,蔡庆,梁远.IC制造工艺与技术[M].电子工业出版社,2006.