长波长垂直腔面发射激光器研究.docx
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长波长垂直腔面发射激光器研究长波长垂直腔面发射激光器研究摘要:长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种具有广泛应用前景的半导体激光器。本文综述了长波长VCSEL的研究进展,包括其基本原理、优点和应用。同时,对VCSEL在通信、传感和生物医学等领域的应用进行了详细阐述,并总结了长波长VCSEL所面临的挑战和未来发展方向。本研究为长波长VCSEL的进一步研究和应用提供了理论基础和设计指导。关键词:长波长VCSEL,垂直腔面发射激光器,优点,应用,挑战,未来发展引言:随着光通信和传感技术的迅速发展,人们对于
长波长垂直腔面发射激光器研究的开题报告.docx
长波长垂直腔面发射激光器研究的开题报告一、选题背景及意义随着信息技术的飞速发展,高速通信、光存储、激光雷达等应用对光电器件提出了越来越高的要求。而垂直腔面发射激光器(Vertical-CavitySurface-EmittingLaser,简称VCSEL)由于自身特有的优势,从诞生至今已经成为应用广泛的光电器件之一。VCSEL的工作原理是通过在两块半导体材料之间形成p–n结来实现电子和空穴的复合放光,即电流注入式激光。相比于传统的边射激光器,VCSEL的优势在于:发光方向垂直于芯片表面,便于集成组装和散热
长波长垂直腔面发射激光器研究的任务书.docx
长波长垂直腔面发射激光器研究的任务书任务书一、任务名称长波长垂直腔面发射激光器研究二、任务背景随着信息技术的迅速发展,光通信、光存储等需要高性能激光器的领域得到了快速的发展。其中,垂直腔面发射激光器(VCSELs)因其具有小尺寸、低功耗、高稳定性等优点,已成为高速光通信、短距离光通信、光存储等领域中极具潜力的光源。针对VCSELs的研究发展,长波长VCSELs因具有应用范围广、应用前景好等优点,成为当前研究热点之一。故本任务的研究重点为长波长VCSELs。三、任务目的本任务旨在研究长波长VCSELs技术,
长腔垂直腔面发射激光器的设计与研制.docx
长腔垂直腔面发射激光器的设计与研制长腔垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种特殊的半导体激光器,具有高效能、低功耗、低成本和易于集成等优点。它广泛应用于光通信、传感器、光存储和显示等领域,成为现代通信技术的重要组成部分。本文将介绍长腔VCSEL的设计与研制过程,并探讨其性能和应用。首先,设计长腔VCSEL需要考虑以下关键因素:材料选择、设计优化和工艺制备。在材料选择方面,常用的材料有GaN、GaAs和InP等。这些材料具有较高的载流子寿命和较低的损耗,适用于高功率和高效能的VCSEL设计。在设计优化方面,
垂直腔面发射激光器制造方法及垂直腔面发射激光器.pdf
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器制造方法,包括:形成主动区平台的步骤;以及对所形成的主动区平台进行侧壁氧化以形成氧化孔的步骤;在上述两个步骤之间还包括:为主动区平台侧壁表面覆盖水汽透过率为1×10<base:Sup>0</base:Sup>~5×10<base:Sup>?2</base:Sup>g/(m<base:Sup>2</base:Sup>·D)的保护膜的步骤。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器,使用上述制造方法得到。相比现有技术,本发明可使得主动区平台的侧壁氧化过程均匀一致,从而提高产品的良率