氮化镓基纳米异质结的制备及光解水特性研究.docx
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氮化镓基纳米异质结的制备及光解水特性研究氮化镓基纳米异质结的制备及光解水特性研究摘要:太阳能光解水是一种可持续且环保的方法,可以将太阳能转化为氢能源。近年来,氮化镓基纳米材料作为光解水的催化剂引起了广泛关注。本论文研究了氮化镓基纳米异质结的制备方法及其在光解水方面的特性。使用水热法制备了氮化镓基纳米异质结,并通过X射线衍射、透射电子显微镜等手段对其结构和形貌进行表征。进一步研究了氮化镓基纳米异质结作为光解水催化剂的电化学性质和光电化学性能。研究结果表明,氮化镓基纳米异质结具有优异的光解水性能,具有较高的光
氮化镓异质结电子输运特性的研究.docx
氮化镓异质结电子输运特性的研究氮化镓化合物是用于制造高品质半导体材料的重要材料之一。由于其在高功率电子器件领域中的潜在应用,它一直受到广泛关注。其中,氮化镓异质结是一种具有特殊电子输运行为的材料结构。氮化镓异质结是一种由两种不同材料的交界面构成的结构。在这种结构中,金属材料与半导体材料形成不同的能带结构,从而导致电子在两种材料之间穿越时发生反射、折射、透射等现象。这些现象会影响电子输运行为,从而决定了异质结的性能。在研究氮化镓异质结电子输运特性时,需要考虑以下几个因素:一、异质结能带对电子输运的影响异质结
一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结的方法.pdf
本发明公开了一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结阵列的方法,是通过以下工艺过程实现的:用两步化学气相沉积(CVD)方法来制备,第一步,在CVD管式炉中,用无水三氯化铝(AlCl3)作为铝(Al)源,通入氨气(NH3)作为氮(N)源,反应后得到白色片状独立自支撑的AlN纳米棒阵列;第二步,在白色片状AlN纳米棒阵列上镀金(Au)作为催化剂,在CVD管式炉中,用金属镓(Ga)和NH3作为反应源在AlN纳米棒阵列上生长GaN的异质结。本发明所制备材料为氮化铝和氮化镓纳米棒阵列,其特点是:在微观上为纳米棒异质结阵列
氮化镓基异质结漏电流研究的任务书.docx
氮化镓基异质结漏电流研究的任务书任务书一、任务目的本次研究旨在探究氮化镓基异质结的漏电流特性,并通过实验数据分析找出其与结构参数以及材料特性之间的关系,为氮化镓异质结器件的设计与应用提供科学依据。二、任务范围1.氮化镓基异质结的制备:利用分子束外延技术(MBE)或金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)制备氮化镓基异质结样品,并进行表面与结构刻蚀处理,以获得合适的测试样品。2.氮化镓基异质结漏电流测试:利用高分辨率电流测试仪器,探究不同结构参数下氮化镓基异质结的漏电流特性。测试时需保证设备以及测试样品的环境
GaN基异质结器件的制备及特性研究.docx
GaN基异质结器件的制备及特性研究随着信息技术和电子领域的发展,能源利用效率和能源密度的要求越来越高。在现有材料中,硅半导体已成为最常用的材料。然而,硅半导体的电学性能有一定限制,对于高功率、高频率电子设备的应用来说,其效率和性能是不能胜任的。因此,越来越多的研究者开始关注氮化镓(GaN)材料及其异质结器件的研究。GaN材料主要具有以下特点:1.宽带隙:GaN的带隙宽度比硅半导体和氮化铝(AlN)等其他材料更大,因此耐高温性、高功率和高频率的特性很好。2.高电子迁移率:GaN材料的电子迁移率高,可以在高速