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快速循环晶化高Bi代DyGaIG磁光膜的研究
快速循环晶化高Bi代DyGaIG磁光膜的研究
摘要：
快速循环晶化技术在磁光存储领域有着广泛的应用。本文研究了一种新型高Bi代DyGaIG磁光膜，并探讨了其快速循环晶化的效果。通过实验发现，采用快速循环晶化技术可以显著提高磁光膜的性能，并获得快速、稳定的晶化效果。研究结果表明，快速循环晶化技术对高Bi代DyGaIG磁光膜的制备具有重要的意义。
关键词：快速循环晶化；高Bi代DyGaIG磁光膜；磁光存储。
1.引言
磁光存储技术是一种基于光磁相互作用的高密度存储技术。其中，高Bi代DyGaIG磁光膜具有高磁光转换效率和较大的磁光振幅，因此在磁光存储领域有着重要的应用价值。然而，高Bi代DyGaIG磁光膜的制备过程中存在一些问题，比如晶化过程的耗时较长，晶化效果不稳定等。
2.实验方法
本文采用RF磁控溅射技术制备高Bi代DyGaIG磁光膜，然后通过快速循环晶化技术进行晶化。快速循环晶化是指在短时间内，重复进行晶化和退火的过程。实验中，我们采用了不同的晶化温度、晶化时间和退火温度进行研究。
3.实验结果与分析
实验结果表明，采用快速循环晶化技术可以显著提高高Bi代DyGaIG磁光膜的性能。首先，快速循环晶化技术可以缩短晶化时间，使晶化过程更加高效。其次，快速循环晶化技术可以稳定晶化效果，减少因晶化过程不稳定而导致的性能波动。最后，快速循环晶化技术可以降低晶化温度，减少热应力对膜材的影响。
4.结论
本文研究了快速循环晶化高Bi代DyGaIG磁光膜的效果。实验结果表明，快速循环晶化技术可以显著提高磁光膜的性能，并获得快速、稳定的晶化效果。因此，快速循环晶化技术对高Bi代DyGaIG磁光膜的制备具有重要的意义。
参考文献：
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