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单异质结半导体激光器pptPPT课件.ppt

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单异质结半导体激光器什么是异质结异质结异质结异质结异质结的发展异质结的发展异质结的发展异质结的组成12另一方面，P型AlGaAs对来自P型GaAs的发光吸收系数小，损耗就小。而由于AlGaAs的折射率较GaAs的低，因此限制了光子进入到AlGaAs区，使光受反射而局限在P区内，从而减少了周围非受激区对光的吸收。单异质结激光器的阈值电流密度目前一般为(10～15)×103A／cm2，比GaAs同质结激光器的阈值电流密度(10～100)×103A／cm2低。高功率半导体激光器的应用16