大尺寸锑化铟晶体生长等径技术研究.docx
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大尺寸锑化铟晶体生长等径技术研究.docx
大尺寸锑化铟晶体生长等径技术研究Title:ResearchonEqualDiameterTechniqueforGrowthofLarge-SizedIndiumAntimonideCrystalsAbstract:Indiumantimonide(InSb)isacriticalsemiconductormaterialknownforitsexcellentelectronicandoptoelectronicproperties.Thegrowthoflarge-sizedInSbcrystals
锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉.pdf
本发明公开了一种锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉,其可降低锑化铟晶体应力,该方法基于晶体生长炉实现,晶体生长炉包括炉体、设置于炉体内的坩埚、位于坩埚上方的热屏,坩埚内盛装有锑化铟多晶原料,热屏内部设置有电磁感应加热线圈,电磁感应加热线圈套装于锑化铟晶体的外周且与锑化铟晶体的局部间隔对应;使用晶体生长炉并基于切克劳斯基法进行锑化铟晶体生长,锑化铟晶体生长时依次穿过热屏的屏口、电磁感应加热线圈,通过电磁感应加热线圈对锑化铟晶体进行周期性加热。
锑化铟离子注入退火技术研究.docx
锑化铟离子注入退火技术研究锑化铟离子注入退火技术研究摘要:锑化铟是一种具有优异电学性能的半导体材料,可以在高频电子器件、光电子器件和红外探测器等领域得到广泛应用。然而,由于其在生长和制备过程中易形成缺陷和杂质,导致晶格缺陷和杂质敏感性增加,降低了材料的性能。为解决这一问题,锑化铟离子注入退火技术成为一种重要的改善材料性能的方法。本文介绍了锑化铟离子注入退火技术的研究现状和进展,并探讨了其在材料制备过程中所起的作用。关键词:锑化铟、离子注入、退火技术、性能改善、制备过程1.引言锑化铟作为一种广泛应用于多种领
锑化铟的腐蚀特性研究.docx
锑化铟的腐蚀特性研究锑化铟是一种重要的半导体材料,其腐蚀特性对于其应用具有重大影响。本文将对锑化铟的腐蚀特性进行深入研究和分析。一、锑化铟的化学性质锑化铟的化学式为InSb,是一种常见的半导体材料,其晶体结构是立方晶系。化学上,锑化铟是一种金属-砷族化合物,其具有较高的电导率和热导率,以及优异的光学性能,因此被广泛应用于半导体器件和光电子学器件中。二、锑化铟的腐蚀特性由于锑化铟具有较高的化学活性和电化学活性,其在某些条件下会发生腐蚀反应。锑化铟通常受到水、酸、碱和氧气等腐蚀性物质的影响,其中最常见的腐蚀形
一种大尺寸晶向低位错密度锑化铟InSb晶体及其生长方法.pdf
本发明公开了一种大尺寸晶向低位错密度锑化铟InSb晶体及其生长方法,大尺寸晶向低位错密度锑化铟InSb晶体生长方法包括:制备满足位错精度要求的晶向InSb籽晶;将一定比例的原材料In和Sb装入炉膛内,并控制炉膛内环境参数,以在InSb晶体生长过程中,In‑Sb偏离1:1摩尔比在误差范围内;将制备好的晶向InSb籽晶插入熔体表面进行熔接,并控制晶体拉速、转速以及坩埚转速,以使得InSb晶体横截面轮廓与圆形的相似度大于阈值。采用本发明制备InSb晶体,解决了籽晶位错的遗传效应,降低晶体生长过程中的热应力以及热