多种结构硅通孔热应力仿真分析.docx
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多种结构硅通孔热应力仿真分析多种结构硅通孔热应力仿真分析摘要:随着集成电路尺寸的不断缩小,硅芯片中的通孔结构对于热应力的仿真分析变得尤为重要。本论文通过多种结构硅通孔的热应力仿真分析,研究不同结构对热应力的影响,为通孔设计和工艺优化提供理论依据。1.引言集成电路的不断发展使得芯片尺寸越来越小,但功能却越来越强大。然而,由于硅材料的热膨胀系数较大,芯片内部在高温工作状态下会产生较大的热应力。通孔作为芯片中重要的结构之一,其热应力对芯片的可靠性和性能有着重要影响。因此,对通孔的热应力进行仿真分析和优化设计,对
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TSV转接板硅通孔的热应力分析Introduction随着电子产品的日益普及和功能的不断升级,电路板的设计要求也越来越高。其中,TSV(Through-SiliconVia)技术成为了一种热门的设计技术。TSV是一种垂直联通结构,能够实现二维芯片的三维互联。相比于传统的互联方式,TSV技术具有高密度、低延迟、低功耗、大宽带等优点。但是,TSV技术也存在一些热应力问题,这种应力会对芯片的性能和可靠性产生负面影响。因此,本文将从TSV转接板硅通孔的热应力分析入手,探讨热应力问题的成因和解决方案。Analysi
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硅通孔热应力导致器件迁移率变化分析硅通孔(TungstenPlugs)是集成电路制造中的重要组成部分,用于电路的连接和互连。然而,由于热应力的影响,硅通孔在使用过程中可能引起器件的迁移率变化。本文将从热应力的角度出发,对硅通孔热应力导致器件迁移率变化进行分析,并探讨可能的解决方案。1.硅通孔热应力的原因硅通孔在制程过程中需要填充金属(通常为钨)来形成导电层,该过程中涉及到热膨胀和收缩。当电路工作时,由于电流的通过会产生热量,导致硅通孔的温度升高,从而引起热应力的发生。热应力主要来自两个方面:金属层和硅通孔
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硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计引言在现代集成电路的发展中,面向更高性能和更小尺寸的需求已经成为了普遍的趋势。堆叠划线技术(TSV)便是为此而生的一种设计技术。它把电子元器件从纵向堆积改成沿着水平方向堆积,从而实现了大规模集成电路的高度集成和减小了功耗。然而,由于该技术需要穿透芯片的硅质表面,从而可能导致硅通孔(TSV)的载流量过大而产生热应力,因此热应力的分析和释放结构设计成为了TSV工艺中的重要问题。第一章热应力对TSV的影响热应力是指物体内部由于不同位置之间的温度差异而产生的应力。这
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一种硅通孔布局结构、硅通孔互联结构的形成方法,其中,硅通孔互联结构的形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底具有第一区域和第二区域;刻蚀第一区域和第二区域的半导体衬底,在第一区域和第二区域的半导体衬底中形成若干分立的通孔,第一区域的通孔密度大于通孔的平均密度,且所述通孔的平均密度小于等于2%;在所述半导体衬底上形成金属层,金属层填充满所述通孔;采用化学机械研磨工艺平坦化所述金属层,形成硅通孔互联结构。通过优化第一区域的通孔密度与半导体衬底上通孔的平均密度的关系,防止研磨后的表面金属的残留。