SOI专利技术综述.docx
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SOI专利技术综述SOI(Silicon-On-Insulator)技术是目前半导体行业发展的热点之一。它利用了硅基材料的优越性质,将类似于二极管PN结的材料分层技术应用于硅基材料上,使得晶体管的绝缘层从硅基材料中分离出来,形成了新型的三层结构。在SOI结构中,硅基材料被分离成上、中、下三层,中层被作为绝缘层,上、下层成为了晶体管的源极和漏极。SOI技术具有许多优点,例如更低的功耗、更高的集成度、更高的性能等,这使得SOI技术在诸多领域中都有着广泛的应用。SOI技术在处理器、计算机、通信和车载电子等领域中
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专利技术综述摘要:专利文献是反映屏幕解锁领域技术发展创新性的重要指标。本文主要以VEN及CNABS专利数据为数据源对基于生物特征的屏幕解锁技术的发展进行挖掘,统计并分析了该技术领域国内外专利申请量变化趋势、IPC/CPC分类号分布、全球以及国内主要申请人分布分析等内容,并从指纹、面部、虹膜及声音等几个重要技术内容对屏幕解锁技术进行分解和分析,最后,介绍了基于生物特征的屏幕解锁领域的重要申请人:华为、三星、广东欧珀公司的技术发展路线。关键词:生物特征;屏幕解锁;专利;申请量;重要技术1基于生物特征的屏幕解锁
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离子注入SOI及SOI基准三维光子晶体的研究的综述报告离子注入SOI及SOI基准三维光子晶体的研究SOI(SilicononInsulator)技术是一种新型的半导体器件制备技术,它采用了SOI基底,即在SOI基底上生长的晶体层上集成了各种半导体器件。SOI技术可分为两类:异质结SOI和同质结SOI。SOI技术以其优异的电子性能和加工性能,成为了集成电路产业中的一大热点。目前,SOI器件的研究发展重点已经从单晶硅集成电路技术,转变为集成光子学器件技术。其中,离子注入SOI及SOI基准三维光子晶体的研究受到
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ISDN专利技术综述ISDN(IntegratedServicesDigitalNetwork,集成业务数字网)是一种用于传输语音、数据和视频的数字化通信技术。它提供了高质量、高速率和可靠性的通信服务,被广泛应用于企业和家庭网络连接。在本文中,我们将综述ISDN的专利技术。首先,ISDN的专利技术主要涉及到传输和交换两个方面。传输方面的专利技术包括:1)基本速率接口(BRI)和初级速率接口(PRI)的设计和实现;2)数字信号的编码和解码技术,如PCM(PulseCodeModulation)和ADPCM(