CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结制备与特性研究.docx
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CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结制备与特性研究.docx
CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结制备与特性研究标题:CoFeBMgO/CoFeB磁性隧道结制备与特性研究摘要:随着信息技术的发展,磁性隧道结作为一种重要的磁性材料,在磁性存储器和磁性传感器中发挥着重要作用。本文以CoFeBMgO/CoFeB磁性隧道结为研究对象,通过合适的制备工艺和对材料特性的深入研究,探讨了该结构的制备方法和磁性特性。实验证明,CoFeBMgO/CoFeB磁性隧道结具有较高的磁阻比和较低的磁滞回线。关键词:磁性隧道结,CoFeBMgO,CoFeB,制备方法,磁性特性1.引言磁性隧道结
CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结制备与特性研究的任务书.docx
CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结制备与特性研究的任务书任务书:CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结制备与特性研究一、研究背景和意义磁性隧道结是一种金属-绝缘体-金属(MIM)结构,最初被用于磁阻读头和磁存储器。近年来,隧道磁电阻(TMR)效应的发现引起了广泛的兴趣,特别是在磁性存储器和传感器中的应用。TMR隧道结的性能优于传统的磁电阻结构,因此被认为是一种更有前途的技术。其中CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结由于具有优异的磁电阻比和高稳定性,逐渐成为了研究的热点。因此,本次研究旨在探索CoFeBMg
CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结的溅射生长与微纳加工制备的开题报告.docx
CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结的溅射生长与微纳加工制备的开题报告磁性隧道结是一种磁电子器件,具有高效的磁电转换效应和非易失性存储能力,因此在磁学、量子计算等领域具有广泛应用前景。其中,CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结具有优异的磁电性质,因此受到了广泛关注。本文旨在介绍CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结的溅射生长与微纳加工制备方法。1.溅射生长方法(1)生长设备CoFeBMgOCoFeB磁性隧道结的溅射生长可通过磁控溅射技术实现。这种技术需要使用溅射装置,一般包括真空室、溅射靶、加热源和基片支架
磁性隧道结的制备方法.pdf
本发明提供一种磁性隧道结的制备方法,所述方法包括:提供一衬底,在所述衬底上依次沉积底电极材料层、MTJ材料层、金属硬掩膜层和介质硬掩膜层,其中所述MTJ材料层包括:第一磁性薄膜层、位于所述第一磁性薄膜层上方的绝缘薄膜层以及位于所述绝缘薄膜层上方的第二磁性薄膜层;光刻出掩膜形状,并刻蚀所述介质硬掩膜层和所述金属硬掩膜层;进一步刻蚀所述MTJ材料层,将刻蚀终点停留在所述绝缘薄膜层与所述第一磁性薄膜层的界面;形成第一保护层并刻蚀所述第一保护层,只保留所述第一保护层的垂直部分;以刻蚀后的所述金属硬掩膜层为硬掩膜,
基于MgO磁性隧道结磁场传感器制备工艺与特性研究的开题报告.docx
基于MgO磁性隧道结磁场传感器制备工艺与特性研究的开题报告一、研究背景磁场传感器是一种广泛应用于磁性材料检测、地磁导航等领域的重要传感器。随着科技的不断发展,人们对于磁场传感器的需求不断增加,对磁场传感器的要求也愈加高。近年来,基于MgO磁性隧道结的磁场传感器因其高灵敏度和高稳定性而备受关注。因此,本研究将对基于MgO磁性隧道结磁场传感器制备工艺和特性进行深入研究。二、研究内容本研究旨在研究基于MgO磁性隧道结磁场传感器的制备工艺和特性,并通过实验验证研究结果的正确性。具体研究内容如下:1.磁性材料制备: