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795nm垂直腔面发射激光器的偏振特性研究
标题：795nm垂直腔面发射激光器的偏振特性研究
摘要：
本文主要研究795nm垂直腔面发射激光器的偏振特性。首先介绍了垂直腔面发射激光器的基本原理和结构特点，然后探讨了垂直腔面发射激光器的偏振特性及其影响因素，最后通过实验验证了激光器的偏振特性。研究结果表明，通过适当的优化制备工艺和结构设计，可以获得高度偏振化的795nm垂直腔面发射激光器。
关键词：795nm垂直腔面发射激光器，偏振特性，优化设计
1.引言
垂直腔面发射激光器（VCSEL）由于其结构简单、制备工艺容易、功耗低、调制带宽高等特点，在光通讯、光存储、激光雷达等领域得到了广泛应用。然而，VCSEL的偏振特性对其性能和应用具有重要影响。因此，研究VCSEL的偏振特性具有重要的理论和实际意义。
2.垂直腔面发射激光器的基本原理和结构特点
VCSEL是一种基于垂直腔面发射原理工作的半导体激光器。其基本结构包括上和下的DBR（distributedBraggreflector）镜，中间的有源层。DBR镜起到了选择性地反射特定波长的激光光束的作用，而有源层则产生激光。由于VCSEL的结构非常精确和对称，因此制备工艺较为简单，可以实现大规模集成制备。
3.垂直腔面发射激光器的偏振特性及其影响因素
VCSEL通常具有两种偏振状态：横向偏振和纵向偏振。横向偏振是指光束在垂直方向有明显的偏振分布，而纵向偏振是指光束在水平方向有明显的偏振分布。VCSEL的偏振特性主要受以下几个因素影响：材料的各向异性，VCSEL的结构设计，制备工艺等。
4.实验方法
在实验中，我们采用了标准的制备工艺和结构设计制备了795nm的VCSEL样品，并对其进行了光学特性的测试。首先，我们使用光谱仪测量了激光器的光谱特性，然后使用偏振特性分析仪测量了光束的偏振状态。
5.结果与讨论
实验结果显示，经过优化的制备工艺和结构设计，我们成功获得了高度偏振化的795nmVCSEL。光谱特性显示其峰值波长在795nm附近，谱线较窄，频率稳定性良好。偏振特性分析结果显示其光束在垂直方向具有较高的偏振度，纵向偏振度也得到了有效控制。
6.结论
通过对795nmVCSEL的偏振特性的研究，我们证明了优化设计和制备工艺可以实现高度偏振化的VCSEL。这些结果对于VCSEL的性能提升和应用推广具有重要意义。未来的研究可以继续优化结构设计，进一步提高VCSEL的偏振度。
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