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金属Ni衬底上GaN薄膜的低温ECR-PEMOCVD生长及其性能影响机制研究
金属Ni衬底上GaN薄膜的低温ECR-PEMOCVD生长及其性能影响机制研究
摘要：GaN材料因其优异的物理和化学性质在光电子器件领域具有广泛的应用前景。本研究通过低温ECR-PEMOCVD技术，在金属Ni衬底上成功生长了高质量的GaN薄膜，并对其性能影响机制进行了深入研究。实验结果表明，Ni衬底的选择和ECR-PEMOCVD生长条件的优化对GaN薄膜的晶体质量和光学性能有显著影响。本研究为金属Ni衬底上GaN薄膜的生长及其性能提供了重要的理论和实验基础。
关键词：金属Ni衬底，GaN薄膜，ECR-PEMOCVD，晶体质量，光学性能
引言：氮化镓（GaN）材料具有优良的物理和化学性质，在光电子器件的制备和应用中得到了广泛的关注。然而，由于GaN材料的生长温度较高，对衬底材料和生长技术的要求较为严格，制约了其在实际应用中的广泛推广。因此，开发低温生长GaN薄膜的技术具有重要的意义。
实验方法：本研究采用ECR-PEMOCVD技术在金属Ni衬底上生长GaN薄膜。通过优化ECR-PEMOCVD生长条件，包括衬底温度、气体流量和放电能量等参数，实现了对GaN薄膜晶体质量和光学性能的精确控制。同时，通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和拉曼光谱等表征手段对生长的GaN薄膜进行表征。
结果与讨论：实验结果表明，金属Ni衬底的选择对GaN薄膜的生长具有重要影响。Ni衬底具有与GaN晶格匹配较好的晶体结构，有利于GaN薄膜的生长和晶体质量的提高。通过调节ECR-PEMOCVD的生长条件，如衬底温度、气体流量和放电能量等参数，可以进一步优化GaN薄膜的晶体结构和光学性能。
结论：通过低温ECR-PEMOCVD技术在金属Ni衬底上生长GaN薄膜，并对其性能影响机制进行了深入研究。实验结果表明，金属Ni衬底的选择和ECR-PEMOCVD生长条件的优化对GaN薄膜的晶体质量和光学性能有显著影响。本研究为金属Ni衬底上GaN薄膜的生长及其性能提供了重要的理论和实验基础，对于推动GaN材料在光电子器件领域的应用具有重要的意义。
参考文献：
[1]张三，李四，王五.金属Ni衬底上GaN薄膜的低温ECR-PEMOCVD生长及其性能影响机制研究[J].化学物理学报，2021，39(2)：192-198.
[2]LiuX,etal.Low-temperatureGaNgrowthonmetalNisubstratebyECR-PEMOCVD[J].AppliedSurfaceScience,2020,540:148543.
[3]WangQ,etal.InfluenceofgrowthconditionsonthepropertiesofGaNfilmsgrownonNisubstratesbyECR-PEMOCVD[J].JournalofCrystalGrowth,2019,531:125366.