NMOS器件制作流程.pdf

NMOS器件制作流程--NMOS器件制作流程-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIANNMOS器件制作流程--NMOS器件制作流程--1．启动exceed；2．启动C:\ISE\BIN\GENESISEe也可为其添加一个快捷方式。3．启动后出现窗口如图2。图1启动exceed图2ISE7.0启动界面2NMOS器件制作流程--NMOS器件制作流程--图3ISE7.0启动界面4.打开ISEproject窗口（双击project图标左上角）在左边树状图中单击Example_Library_7.0.lnkNMOS选中Id_Vd_curves单击工具栏中的复制图标（下图第三个图标）弹出窗口如图4所示点击“YesAll”“Id_Vd_curves”就被复制到“COPYED_OBJECT_【计算机名】”目录下了此时会在根目录下新建一个文件夹。（如图6）图4点击yes图5工具栏3NMOS器件制作流程--NMOS器件制作流程--图6复制后的Id_Vd_curves第一个文件夹为新建文件夹5.选中复制出来的文件单击工具栏地7个图标（工具栏见图二）激活文件。激活后文为黄色。（见图6）6.关闭上图窗口6双击主窗口左边第二个图标“Status”出现子窗口如图7所示。该窗口右边有9个按钮其中“edit”配置器件结构的描述、模拟过程、结果显示等所有输入文件“Runall”即开始模拟“Abort”可以中断模拟。“Deselect”取消该工程的激活状态等等。图7Status窗口6.点击cleanerup按钮出现如下图弹出窗口点击ok。文件变为绿色。4NMOS器件制作流程--NMOS器件制作流程--图8cleanup窗口7.点击edit文件周围会出现一个黑框。此时进入“Id_Vd_curves”工程的修改状态。图9激活后的文件7．双击主窗口左边的“ToolFlow”图标出现工具使用流程窗口如图8所示。该窗口左边显示了本工程使用的工具和使用流程右边是本集成环境可以使用的工具我们可以把右边的工具拖入到左边的流程中完成自己的设计。“Id_Vd_curves”这个工程使用了三个工具另外设置了一个全局参数。该工程的模拟流程为：MDraw把输入的器件二维剖面结构调用Mesh工具产生模拟用的离散化网格然后Dessis模拟器件的工作统计数据得到电流、电场等结果最后用Inspect把模拟结果用曲线图显示出来另外也可以用picasso来观察器件内部的电场、电流分布等情况。5