垂直磁隧道结中磁化动态特性的研究综述报告.docx
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垂直磁隧道结中磁化动态特性的研究综述报告磁性隧道结是一种将金属薄膜与绝缘体分开的材料结构,通过调节隧道结中金属薄膜的自旋极化方向,可以在隧道结中产生磁阻变化,进而实现磁存储和磁传输等应用。随着纳米电子学、自旋电子学和磁性存储等领域的发展,磁性隧道结作为一种重要的材料结构被广泛研究。尤其是垂直磁隧道结,由于其在磁存储应用中具有重要的作用,因此受到越来越广泛的关注。本文将对垂直磁隧道结中磁化动态特性的研究进行综述,包括其基本原理、磁化动力学特性、自旋转移和热激发等方面。基本原理垂直磁隧道结由两层金属薄膜与一层
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磁隧道结自旋转移矩磁存储器的动态特性研究综述报告磁隧道结自旋转移矩磁存储器(STT-MRAM)是一种具有高速、高密度、低功耗和高可靠性等优点的新型非挥发性存储器技术。近年来,STT-MRAM在嵌入式存储器、高速缓存和普通存储器等领域得到了广泛应用。本文将从STT-MRAM工作原理、优越性能及其相关动态特性等方面进行综述。首先,STT-MRAM的工作原理是磁隧道结的使用。磁隧道结由两个磁性电极和一个薄隧道层组成,其中隧道层具有纳米级厚度,能够通过隧道效应实现自旋极化的转移。通常,一个电极固定而另一个电极通过
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旁柱磁饱和型可控电抗器铁芯磁化特性与控制特性研究综述报告旁柱磁饱和型可控电抗器(TSC)是一种新型的电力电子装置,其核心部分是用铁芯实现磁性控制的可变电抗器。TSC的磁化特性与控制特性是其性能和工作稳定性的关键因素,本文对TSC的铁芯磁化特性与控制特性进行研究综述。一、旁柱磁饱和型可控电抗器铁芯磁化特性的研究磁芯是TSC中的重要组成部分,直接影响TSC的磁化特性和控制特性。研究表明,磁芯的材料和结构对TSC的性能有很大影响。1.磁芯材料的选择:目前常用的磁芯材料有硅钢片、铁氧体和铂合金等。硅钢片具有良好的