先进工艺下的片上ESD防护设计研究综述报告.docx
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先进工艺下的片上ESD防护设计研究综述报告.docx
先进工艺下的片上ESD防护设计研究综述报告随着集成电路工艺的不断发展和升级,半导体器件的结构越来越复杂,制造过程也变得更加微观化和复杂化,同时,ESD(静电放电)问题也变得越来越严重,成为影响芯片可靠性的重要因素之一。因此,在现代半导体芯片设计中,片上ESD防护设计显得尤为重要,本文将从现代工艺角度进行阐述。随着集成电路芯片工艺的不断升级,芯片特征尺寸不断缩小,这将带来许多新的设计挑战,其中之一就是ESD保护。传统的ESD防护方法已经不能满足当今芯片的需求。新的工艺下,芯片上的ESD保护设计需要更加微观化
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CMOS射频集成电路片上ESD防护研究的中期报告摘要:随着通信技术的快速发展,射频集成电路(RFIC)在无线通信系统中的应用越来越广泛。由于RFIC在工作中需要处理高频信号,因此其对ESD事件(静电放电)的抵抗能力要求非常高。本文介绍了CMOS射频集成电路片上ESD防护研究的中期报告。首先,回顾了ESD事件的产生机理和半导体器件的损坏机理。其次,介绍了当前常用的RFICESD保护方法,并对比分析了它们的优缺点。最后,总结了未来研究的方向和挑战。关键词:射频集成电路,ESD防护,半导体器件,静电放电,RFI