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AlGaN纳米薄膜结构调控及其场发射性能研究综述报告
AlGaN纳米薄膜是一种具有优异性能的宽带隙半导体材料，已经广泛应用于LED（发光二极管）、激光器、太阳能电池等领域。这种半导体薄膜具有较高的机械强度、优异的热稳定性和较好的电学性能等特点。近年来，在新能源、航空航天等领域的应用中，AlGaN纳米薄膜受到了越来越多的关注。
本篇综述主要介绍AlGaN纳米薄膜结构调控及其场发射性能的研究进展，包括纳米薄膜的制备方法、结构调控和场发射机理。
制备方法
制备AlGaN纳米薄膜的方法主要分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两类。前者包括分子束外延（MBE）、电子束蒸发（EBE）和磁控溅射等技术，后者包括金属有机化学气相沉积（MOCVD）和氨化物化学气相沉积（NH3-CVD）等技术。
MBE方法得到的AlGaN纳米薄膜具有优异的结晶性和均匀性，但制备需要高真空条件下进行，同时适用于生长小尺寸的薄膜。MOCVD方法制备的AlGaN纳米薄膜具有高纯度和高生长速率，适用范围广，但存在易受到污染和过程复杂的问题。
结构调控
结构调控对AlGaN纳米薄膜的性能有着重要的影响。目前常用的结构调控方法包括掺杂、氧化、电子束辐照等方法。
掺杂方法可以改变AlGaN纳米薄膜的导电性和光致发光性能，提高薄膜的性能。氧化方法可以在AlGaN薄膜表面形成氧化物层，改善薄膜的电性能和表面平整度。电子束辐照方法可以通过控制辐照剂量和能量分布，改善AlGaN纳米薄膜的结晶性和缺陷状态。
场发射机理
AlGaN纳米薄膜的场发射性能是其在微电子学和场发射显示器等领域应用的关键因素之一。研究表明，AlGaN纳米薄膜的场发射主要通过简单电子穿越和热发射两种机制进行。
简单电子穿越机制是指电子受激振动后可以通过突破禁能屏障，直接逃逸而引起的场发射现象。而热发射机制是指在高温下，电子能量大于禁能屏障高度而引起的场发射现象。此外，表面缺陷和电场强度等因素也会对AlGaN纳米薄膜的场发射性能产生影响。
总结
综上所述，AlGaN纳米薄膜结构调控和场发射性能是当前研究的热点领域。通过对制备方法、结构调控和场发射机理的深入研究，可以进一步优化纳米薄膜的性能，并且拓展其在微电子学和场发射显示器等领域的应用前景。