SiGe异质结薄膜特性的研究综述报告.docx
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SiGe异质结薄膜特性的研究综述报告.docx
SiGe异质结薄膜特性的研究综述报告SiGe异质结薄膜是一种重要的半导体材料,具有优良的电学、光学、热学和机械性能,因此在集成电路、传感器、太阳能电池、光电探测器、高频器件等领域得到了广泛的应用。本篇综述将对SiGe异质结薄膜的特性进行详细介绍。1.SiGe合金的物理性质SiGe合金具有比Si材料更大的宽带隙,更低的折射率和更高的导电率,因为Ge原子具有比Si更小的电负性,其中Ge-Si键的键能更低,这些特性使得SiGe异质结薄膜在光子集成电路和红外探测器等器件中具有良好的应用前景。2.SiGe异质结的制
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ZnO基薄膜的、异质结制备与应用研究综述报告ZnO是一种广泛使用的重要材料,其特殊的物理和化学性质使得它在电子器件、太阳能电池、光学器件、气敏传感器等领域得到广泛应用。而ZnO基薄膜的、异质结制备与应用更是热门的研究方向之一。本文将综述ZnO基薄膜的、异质结制备与应用研究的现状和发展趋势。1.ZnO基薄膜制备方法目前,制备ZnO基薄膜的方法主要有物理气相沉积法、化学气相沉积法、溅射法、电化学沉积法等。其中,物理气相沉积法是目前使用最广泛的制备方法。它可以在150-600℃的范围内生长薄膜,并且具有制备高质
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磁控溅射SiGe薄膜的制备工艺及性能研究综述报告磁控溅射(MagnetronSputtering)是一种新型的薄膜制备技术,被广泛应用于微电子、材料科学与工程、生物医学等领域。SiGe薄膜是一种半导体薄膜,由于其在光电学、光电子器件、硅基光纤和传感器等领域具有重要的应用价值,因此其制备工艺及性能研究备受关注。本文将从制备工艺和薄膜性能两部分综述磁控溅射SiGe薄膜的现状和发展趋势。一、制备工艺1.设备及辅助设备磁控溅射SiGe薄膜的设备主要由磁控溅射装置、真空系统和工艺控制系统组成。在这些设备的辅助下,磁