蓝宝石衬底上Fe掺杂AlGaNGaN HEMT材料激光剥离研究.docx
快乐****蜜蜂
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
蓝宝石衬底上Fe掺杂AlGaNGaN HEMT材料激光剥离研究.docx
蓝宝石衬底上Fe掺杂AlGaNGaNHEMT材料激光剥离研究蓝宝石衬底上Fe掺杂AlGaNGaNHEMT材料激光剥离研究摘要:激光剥离作为一种先进的材料切割技术,在纳米科技领域得到了广泛应用。本文研究了蓝宝石衬底上Fe掺杂AlGaNGaNHEMT材料的激光剥离特性。通过实验测试和理论分析,发现激光能量、扫描速度和激光脉冲数对激光剥离过程中的光热效应有着显著影响。另外,我们还探讨了Fe掺杂对激光剥离过程中的材料特性的影响,并对其机制进行了探讨。研究结果表明,激光剥离可作为一种有效的AlGaNGaNHEMT材
用于SiC和蓝宝石衬底的AlGaNGaN HEMT热解析模型.docx
用于SiC和蓝宝石衬底的AlGaNGaNHEMT热解析模型AlGaNGaNHEMT是一种基于氮化镓(GaN)和氮化铝镓(AlGaN)的半导体材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构。作为一种新型材料,AlGaNGaNHEMT显示出明显的优越性能,例如高功率密度、高频率响应和低失真度。然而,这种结构在使用过程中也会面临热解析问题。热解析问题是指材料在高温下出现的热膨胀、热应力、材料失效等问题。近年来,对于潜在的SiC和蓝宝石衬底的AlGaNGaNHEMT结构进行了广泛的研究。旨在解决其在高功率和高温环境下的
蓝宝石衬底上AlGaNGaN二维电子气结构的剥离研究的任务书.docx
蓝宝石衬底上AlGaNGaN二维电子气结构的剥离研究的任务书任务书题目:蓝宝石衬底上AlGaNGaN二维电子气结构的剥离研究背景及意义:氮化镓(GaN)材料具有宽带隙、高热稳定性、较高的崩溃场强度、高密度、高移动率等优秀的物理性质,能够在紫外和蓝色光源中达到较高的效率,因此被广泛用于LED、LD和HFET等光电子器件的制备中。然而,由于其结晶质量污染、掺杂原子浓度不均匀等缺陷,导致电子气得不到很好的局限,寿命及移动性较低。在此背景下,研究一种有效的电子结构调制技术是十分重要的。剥离技术作为一种非侵入性的研
一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法.pdf
本发明提供一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法,包括固定加热炉和括激光器、光束整形器、振镜系统和成像设备,固定加热炉用于固定、加热待剥离样品,激光器发出的激光依次经过光束整形器、振镜系统照射到待剥离样品上,待剥离样品反射的照明光成像至成像设备上,实现剥离过程的实时监察。本发明的装置固定加热炉用于控制剥离的温度,缓解由激光照射与非照射区域温差引起的应力,提高完整剥离整片GaN单晶衬底的良率,可通过调整激光能量、光斑直径、剥离温度、扫描速度与扫描路径等参数调整剥离工艺,通过显微成像系统实现
衬底减薄对AlGaNGaN HEMT电学性能的影响.docx
衬底减薄对AlGaNGaNHEMT电学性能的影响Title:InfluenceofSubstrateThinningontheElectricalPerformanceofAlGaNGaNHEMTAbstract:Aluminumgalliumnitride-galliumnitride(AlGaNGaN)highelectronmobilitytransistor(HEMT)isapromisingdeviceforhigh-powerandhigh-frequencyapplicationsdueto