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LEDs及QLEDs关键材料合成、发光性能调控及发光机理研究
LEDs和QLEDs关键材料合成、发光性能调控及发光机理研究
摘要：
近年来，随着半导体照明技术的迅猛发展，LEDs（LightEmittingDiodes）和QLEDs（QuantumDotLightEmittingDiodes）作为新一代照明和显示技术备受关注。这两种技术的关键在于合成材料的发光性能调控和机理研究。本论文综述了LEDs和QLEDs中关键材料的合成方法、发光性能调控的策略以及发光机理的研究进展。对于这些关键材料的合成方法和性能调控策略的探索有助于提高LEDs和QLEDs的效能和稳定性，同时对发光机理的研究有助于深入理解其内在的物理过程，为定向设计和合成更高性能的材料提供指导。
1.引言
照明和显示技术是现代社会的基础设施之一，而传统的白炽灯和液晶显示技术在能源效率和色彩表现方面存在一定局限性。LEDs和QLEDs作为新兴照明和显示技术具有很大的发展潜力。其中，关键材料的合成和性能调控是实现高效发光的关键。
2.LEDs关键材料的合成和性能调控
2.1.硅基LEDs材料
硅基LEDs材料是目前最广泛应用的一类LEDs材料。本节介绍了硅基LEDs的关键材料——硅薄膜的制备方法以及其发光性能的调控策略。通过控制硅薄膜的合成条件和掺杂方法，可以实现硅基LEDs的高发光效率和发光波长的调控。
2.2.III-V族化合物半导体LEDs材料
III-V族化合物半导体是另一类重要的LEDs材料。本节介绍了III-V族化合物半导体的合成方法以及发光性能的调控策略。通过在材料中引入掺杂剂或调节生长条件，可以实现III-V族化合物半导体的高效发光和发光波长的调控。
3.QLEDs关键材料的合成和性能调控
3.1.量子点的制备
量子点是QLEDs中的关键材料，直接影响着其发光性能。本节介绍了几种常见的制备量子点的方法，包括溶剂热法、热分解法和离子交换法。这些方法可以制备出发光效率高和发光波长可调的量子点。
3.2.量子点膜的制备和性能调控
量子点膜是实现QLEDs的关键结构，本节介绍了量子点膜的制备方法以及发光性能的调控策略。通过控制量子点膜的组成、厚度和界面性质，可以实现QLEDs的高效发光和色彩纯度的调控。
4.LEDs和QLEDs发光机理的研究进展
LEDs和QLEDs的发光机理是提高其发光性能和稳定性的关键。本节综述了近年来研究人员对于LEDs和QLEDs发光机理的研究进展，包括载流子注入、能带结构和辐射通道等方面的研究成果。这些研究对于深入理解LEDs和QLEDs的内在物理过程，并指导材料的定向设计和合成具有重要意义。
5.结论
本论文从LEDs和QLEDs的关键材料合成和性能调控出发，综述了目前的研究进展。对于这两种技术的关键材料的合成和性能调控策略的探索有助于提高其效能和稳定性。同时，对于发光机理的研究有助于深入理解其内在物理过程，为定向设计和合成更高性能的材料提供指导。对于未来LEDs和QLEDs技术的发展具有指导意义。
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