Cr掺杂BaTiO_3几何结构、电子结构和磁性的第一性原理研究.docx
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Cr掺杂BaTiO_3几何结构、电子结构和磁性的第一性原理研究.docx
Cr掺杂BaTiO_3几何结构、电子结构和磁性的第一性原理研究摘要:本文采用第一性原理计算研究了Cr掺杂BaTiO_3的几何结构、电子结构和磁性。研究结果表明,Cr掺杂BaTiO_3会引入磁性,且不同掺杂浓度下磁性具有不同的特点。本研究有助于了解掺杂对铁电材料的影响,为相关应用提供理论基础。关键词:第一性原理、Cr掺杂、BaTiO_3、几何结构、电子结构、磁性1.引言铁电材料因其特殊的物理和化学性质被广泛应用于电子学、光电子学、传感器等领域。掺杂是改善铁电材料性能的一种重要途径,它通过引入杂质原子来调整材
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d0铁磁性掺杂结构和超晶格结构的结构,磁性和电子性质的第一性原理研究引言近年来,随着材料科学的不断发展,越来越多的新材料被开发出来并且应用于实际生产和生活中。其中,掺杂结构和超晶格结构材料由于其独特的结构和物性,在磁性、电子性质等方面具有很大的优势,并且有着广泛的应用前景。因此,对其进行深入研究和探索,对于拓展材料科学的发展也是至关重要的。1.掺杂结构的磁性质研究1)掺杂结构的定义和分类掺杂结构是指为了改变材料性质而向其所在晶格体系中引入少量不同离子的一种结构。掺杂结构可分为降低结构对称性的掺杂、改变材料
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Pd(Rh)掺杂AlN电子结构和磁性的第一性原理研究Pd(Rh)掺杂AlN电子结构和磁性的第一性原理研究摘要:我们在这篇论文中使用第一性原理方法研究了Pd和Rh掺杂的AlN基材料中的电子结构和磁性。我们发现,相对于纯AlN,Pd掺杂AlN可能表现出磁性,这是由于Pd原子的d电子对材料的磁性作出贡献。Rh掺杂对磁性没有太大贡献,但是Rh和N之间的强化相斥相互作用可以降低材料的磁性。引言:AlN是一种重要的半导体材料,其在微电子学和光电子学,尤其是在能源和光学器件方面被广泛应用。然而,纯AlN是非磁性的,这限
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Cr和W掺杂的单层MoS_2电子结构的第一性原理研究第一性原理研究指的是基于量子力学的第一性原理计算方法,能够从基本的物理学原理出发,不依赖实验数据和经验参数,直接求解电子结构和材料性质。在本文中,我们将研究Cr和W掺杂的单层MoS2材料的电子结构,并通过第一性原理计算方法探究其可能的变化。单层MoS2是一种二维材料,由硫原子和钼原子交替排列而成。具有宽带隙和优秀的电子传输特性,因此在电子学和光学器件中具有潜在的应用价值。而掺杂是通过添加不同种类的杂质来改变材料的电子结构和性能。首先,我们将使用第一性原理
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C、N、O掺杂CuBr和CuCl的电子结构和磁性的第一性原理研究IntroductionCopperhalides(CuX,whereX=Cl,Br,I)havebeenwidelystudiedduetotheirinterestingelectronicandopticalproperties.Recently,thedopingofthesematerialswithimpuritieshasbeeninvestigatedasawaytomodifytheirelectronicandmagnet