高导热AlN陶瓷低温烧结助剂的研究现状.docx
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高导热AlN陶瓷低温烧结助剂的研究现状.docx
高导热AlN陶瓷低温烧结助剂的研究现状高导热AlN陶瓷低温烧结助剂的研究现状摘要:高导热AlN陶瓷在电子封装、散热材料等领域具有广阔的应用前景。然而,由于其高熔点、难以烧结等特性,制备高导热AlN陶瓷面临一系列的挑战。为了克服这些问题,研究者们提出了采用低温烧结助剂的方法来制备高导热AlN陶瓷。本文综述了近年来高导热AlN陶瓷低温烧结助剂的研究进展,包括烧结助剂的分类、添加方式以及对烧结性能的影响等方面,并对今后的研究方向进行了展望。关键词:高导热AlN陶瓷;低温烧结助剂;烧结性能;应用前景1.引言高导热
一种高导热AlN陶瓷低温烧结的制备方法.pdf
一种高导热AlN陶瓷低温烧结的制备方法。本发明为了寻找AlN陶瓷最佳的制备工艺,以满足AlN陶瓷实际生产的需要。本方法如下:一、助烧剂的制备,二、将氮化铝和助烧剂进行球磨处理,球料比为10~30:1,球磨时间1~14h;三、将步骤二所得粉体烘干后,放入模具中,在烧结炉中一定温度、一定压力下保持一定时间;四、冷却后脱模即得高导热陶瓷片。本发明制备的AlN陶瓷成本低,操作简单,强度高等优点。
高导热氮化硅陶瓷的低温烧结和性能研究.docx
高导热氮化硅陶瓷的低温烧结和性能研究高导热氮化硅陶瓷的低温烧结和性能研究摘要:近年来,随着电子技术的飞速发展,高导热材料受到了越来越多的关注。而氮化硅陶瓷作为一种重要的高导热材料,具有优异的导热性能和机械性能,逐渐成为研究的热点。然而,目前氮化硅陶瓷的制备过程存在着高温烧结、能耗高的问题,限制了其在实际应用中的推广。因此,本文主要研究了氮化硅陶瓷的低温烧结制备工艺以及其在高导热性能方面的表现。实验结果表明,通过添加适量的助烧剂和采用特殊工艺参数,可以有效降低氮化硅陶瓷的烧结温度,同时保持其高导热性能。本研
AlN陶瓷低温烧结制备与性能研究的中期报告.docx
AlN陶瓷低温烧结制备与性能研究的中期报告一、研究背景与意义氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的高热导率、高绝缘性、高机械性能等特点,因此在高科技领域有着广泛的应用前景。然而,由于其烧结温度相对较高(大多数烧结温度在1800℃以上),烧结极其困难,限制了其在实际应用中的发展。因此,如何实现低温烧结是研究AlN陶瓷制备技术的重要方向之一。目前,有许多学者通过添加各种助烧剂、调节烧结参数等方法,探究了AlN陶瓷的低温烧结制备方法。但是,这些方法的研究成果尚未得到广泛应用并且尚存在一些问题,如制备过程中助烧剂残留、陶
AlN陶瓷低温烧结制备与性能研究的任务书.docx
AlN陶瓷低温烧结制备与性能研究的任务书任务名称:AlN陶瓷低温烧结制备与性能研究任务背景:AlN陶瓷具有优良的热导性能、热稳定性、耐腐蚀性和机械性能,因此在高功率半导体器件、微电子学、超声波传感器等领域有广泛的应用。然而,高温烧结制备会导致晶粒长大和残余压应力增加等问题,影响了AlN陶瓷的性能。因此,低温烧结制备是一种解决这些问题的有效途径。任务目标:本任务旨在通过制备低温烧结的AlN陶瓷,并对其性能进行研究,以提高其应用性能。任务内容:1.研究低温烧结AlN陶瓷的制备方法和工艺条件,确定最佳制备条件;