介质损耗角正切值的测量ppt课件.ppt

基本原理介质损失角正切值tgδ的测量当电气设备绝缘整体性能下降，如普遍受潮、脏污或老化，以及绝缘中有间隙发生局部放电时，流过绝缘的有功电流分量IRx将增大，tgδ也增大.
通过测量tgδ值可以发现绝缘的分布性缺陷.
若缺陷部分在整个绝缘中的体积较大，则测量tg容易发现绝缘的缺陷。
如果绝缘缺陷是集中性的（非贯穿性的），或缺陷部分在整个绝缘中占很小的体积，则该方法不很有效.
用于对套管、电力变压器、互感器和某些电容器的测量.试验方法5试验接线西林电桥测量法的基本原理根据电容平衡原理：为了读数方便，取试验的步骤分流器位置5、确定试验电压：Ue≥10kV,Us=10kV;
Ue＜10kV,Us=Ue
6、均匀升压至试验电压，tanσ调至Ⅰ档，逐渐增大灵敏档（最后增至6-9档），与此同时调节R3，直至微安表不再减小，然后调节tanσ（从大倍率到小倍率），使微安表逐渐趋于零。如需要，最后调节微调电阻，使微安表指示为零。
7、将电压降至零，切断电源。记录数据，各旋钮复零。
8、tanσ调至Ⅱ档，重复6、7。
影响tgδ测量结果的因素2、试验电压的影响3.试品电容量的影响
对于电容量较小的试品(例如套管、互感器等)，测量tanδ能有效地发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较大的试品(例如大中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等)测量tanδ只能发现整体分布性缺陷.
4.试品表面泄漏的影响
试品表面泄漏电阻总是与试品等值电阻Rx并联，显然会影响所测得的tanδ值，这在试品的Cx较小时尤需注意.