新型纳米器件的性能研究与建模.docx
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,CONTENTS01.02.纳米器件的定义和分类新型纳米器件的特点和应用领域新型纳米器件的研究现状和发展趋势03.性能研究的方法和手段新型纳米器件的电学性能研究新型纳米器件的光学性能研究新型纳米器件的热学性能研究04.建模的方法和手段新型纳米器件的电学建模新型纳米器件的光学建模新型纳米器件的热学建模05.性能优化的方法和手段新型纳米器件在电子器件中的应用新型纳米器件在光电器件中的应用新型纳米器件在能源转换和存储中的应用06.研究成果总结未来研究方向和展望感谢您的观看!
新型纳米器件的性能研究与建模.docx
新型纳米器件的性能研究与建模摘要随着纳米技术的快速发展,新型纳米器件逐渐成为研究的热点,其性能与建模研究对于纳米技术的应用与发展具有重要意义。本文首先回顾了纳米技术的发展历程,介绍了新型纳米器件的种类及其应用情况。随后,详细讨论了新型纳米器件性能研究的方法与技术,包括表面等离子体共振、扫描电子显微镜、热电输运测量等。最后,对新型纳米器件的建模方法进行了概述,包括有限元分析、分子动力学模拟、MonteCarlo模拟等。本文旨在提供一些新型纳米器件性能研究与建模的思路,以便更好地推动相关研究的发展。关键词:纳
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新型纳米MOS器件工艺与特性研究随着纳米技术的发展,纳米MOS器件成为目前研究的热点之一。本文将探讨新型纳米MOS器件的工艺和特性,并重点分析其应用前景。一、新型纳米MOS器件工艺目前,研究人员已经开发出了许多新型纳米MOS器件工艺,其中主要包括:1.替代栅介质工艺替代栅介质工艺是一种将SiO2作为栅介质替换为高介电常数材料的工艺。在这种工艺中,通常采用的材料包括HfO2、Al2O3等。与SiO2相比,高介电常数的替代栅介质能够有效提高器件的性能,如减小漏电流、提高载流子迁移率等。2.泊松分布阱工艺泊松分
新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件.docx
项目名称:新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件首席科学家:徐洪起北京大学起止年限:2012.1至2016.8依托部门:教育部中国科学院一、关键科学问题及研究内容国际半导体技术路线图(ITRS)中明确指出研制可控生长半导体纳米线及其高性能器件是当代半导体工业及其在纳米CMOS和后CMOS时代的一个具有挑战性的科学任务。本项目将针对这一科学挑战着力解决如下关键科学问题:(1)与当代CMOS工艺兼容、用于新型高性能可集成的纳电子器件的半导体纳米线阵列的生长机制和可控制备;(2)可集成的超高速半导体纳米线电子
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项目名称:新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件首席科学家:徐洪起北京大学起止年限:依托部门:教育部中国科学院国际半导体技术路线图(ITRS)中明确指出研制可控生长半导体纳米线及其高性能器件是当代半导体工业及其在纳米CMOS和后CMOS时代的一个具有挑战性的科学任务。本项目将针对这一科学挑战着力解决如下关键科学问题:(1)与当代CMOS工艺兼容、用于新型高性能可集成的纳电子器件的半导体纳米线阵列的生长机制和可控制备;(2)可集成的超高速半导体纳米线电子器件的工作原理、结构设计及器件中的表面和界面的调控;