

化学法制备黑硅薄膜及性能研究.docx
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化学法制备黑硅薄膜及性能研究.docx
化学法制备黑硅薄膜及性能研究化学法制备黑硅薄膜及性能研究摘要:黑硅是一种具有优异光吸收性能的材料,在太阳能电池、光催化等领域具有广阔的应用前景。本论文以化学法制备黑硅薄膜为研究对象,探讨了不同制备工艺对黑硅薄膜性能的影响。通过实验,发现制备工艺中的反应温度、反应时间、溶液浓度等参数对黑硅薄膜的结构和光学性能有明显影响。同时,本文还对比了不同制备方法得到的黑硅薄膜的光吸收性能,并进行了初步的性能评估。研究结果表明,化学法制备的黑硅薄膜具有良好的光吸收性能和热稳定性,为黑硅在太阳能电池等领域的应用提供了新的可
硅薄膜的制备及光学性能研究.docx
硅薄膜的制备及光学性能研究摘要:本文采用磁控溅射技术,通过改变溅射功率制备了系列非晶硅薄膜,并研究了薄膜的光学性能。结果发现,随着溅射功率的提高,硅薄膜生长速率线性增加。红外光谱测试表明,硅薄膜中含有少量H,并以SiH2的形式存在,随着溅射功率的提高,薄膜中的H含量逐渐增加,而其光学能隙逐渐从1.58eV增加到1.74eV。光致发光实验显示,硅薄膜在380nm和730nm处出现了两处发光峰,其峰位几乎没有变化,而其发光强度和硅薄膜中氧化硅的含量有关。关键词:磁控溅射;硅薄膜;光学能隙;光致发光0引言作为太
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的开题报告.docx
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的开题报告一、研究背景与意义:作为一种常见的材料,多晶硅在太阳能电池、显示屏等领域有着广泛的应用。而制备多晶硅薄膜的方法中,化学气相沉积技术(CVD)是其中常用的方法之一。而在CVD的不同变种中,气相掺杂化学气相沉积技术(APCVD)是一种较为高效且成本较低的方法。然而,在APCVD方法中,多晶硅薄膜的制备过程中存在一系列问题,如硅源易分解,生长速率低等。因此,对APCVD方法制备多晶硅薄膜的性能进行研究,对优化生长过程、提高多晶硅薄膜品质具有重要意义。二、研究目的
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的中期报告.docx
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的中期报告一、研究背景APCVD(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition)是一种常温下进行的气相沉积技术,它具有化学反应活性高、沉积速率快、成本低等优点,在硅器件制造中得到广泛应用。其中,APCVD法多晶硅薄膜的制备技术被广泛研究,能够制备高质量多晶硅薄膜,用于太阳能电池、TFT-LCD等器件。本研究旨在分析APCVD法制备多晶硅薄膜的过程,探究影响多晶硅薄膜质量的因素,并研究多晶硅薄膜的性质。通过实验研究,总结得出对多
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的任务书.docx
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的任务书任务书:APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究1.研究背景多晶硅薄膜具有许多优异的性能,如高导电性、光学透明性、热稳定性等,在太阳能电池、液晶显示器、光电传感器等领域有广泛的应用。而在制备多晶硅薄膜的方法中,APCVD(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition)法因为操作简便、成本低廉、制备效率高等优势得到了广泛的应用。2.研究目的本研究旨在通过APCVD法制备多晶硅薄膜,并对其性能进行研究,以探讨APCVD法制