化学法制备黑硅薄膜及性能研究.docx
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化学法制备黑硅薄膜及性能研究.docx
化学法制备黑硅薄膜及性能研究化学法制备黑硅薄膜及性能研究摘要:黑硅是一种具有优异光吸收性能的材料,在太阳能电池、光催化等领域具有广阔的应用前景。本论文以化学法制备黑硅薄膜为研究对象,探讨了不同制备工艺对黑硅薄膜性能的影响。通过实验,发现制备工艺中的反应温度、反应时间、溶液浓度等参数对黑硅薄膜的结构和光学性能有明显影响。同时,本文还对比了不同制备方法得到的黑硅薄膜的光吸收性能,并进行了初步的性能评估。研究结果表明,化学法制备的黑硅薄膜具有良好的光吸收性能和热稳定性,为黑硅在太阳能电池等领域的应用提供了新的可
硅薄膜的制备及光学性能研究.docx
硅薄膜的制备及光学性能研究摘要:本文采用磁控溅射技术,通过改变溅射功率制备了系列非晶硅薄膜,并研究了薄膜的光学性能。结果发现,随着溅射功率的提高,硅薄膜生长速率线性增加。红外光谱测试表明,硅薄膜中含有少量H,并以SiH2的形式存在,随着溅射功率的提高,薄膜中的H含量逐渐增加,而其光学能隙逐渐从1.58eV增加到1.74eV。光致发光实验显示,硅薄膜在380nm和730nm处出现了两处发光峰,其峰位几乎没有变化,而其发光强度和硅薄膜中氧化硅的含量有关。关键词:磁控溅射;硅薄膜;光学能隙;光致发光0引言作为太
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的中期报告.docx
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的中期报告一、研究背景APCVD(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition)是一种常温下进行的气相沉积技术,它具有化学反应活性高、沉积速率快、成本低等优点,在硅器件制造中得到广泛应用。其中,APCVD法多晶硅薄膜的制备技术被广泛研究,能够制备高质量多晶硅薄膜,用于太阳能电池、TFT-LCD等器件。本研究旨在分析APCVD法制备多晶硅薄膜的过程,探究影响多晶硅薄膜质量的因素,并研究多晶硅薄膜的性质。通过实验研究,总结得出对多
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的任务书.docx
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的任务书任务书:APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究1.研究背景多晶硅薄膜具有许多优异的性能,如高导电性、光学透明性、热稳定性等,在太阳能电池、液晶显示器、光电传感器等领域有广泛的应用。而在制备多晶硅薄膜的方法中,APCVD(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition)法因为操作简便、成本低廉、制备效率高等优势得到了广泛的应用。2.研究目的本研究旨在通过APCVD法制备多晶硅薄膜,并对其性能进行研究,以探讨APCVD法制
硅系薄膜的PECVD法制备、微结构与性能研究.docx
硅系薄膜的PECVD法制备、微结构与性能研究摘要:本文主要介绍了PECVD法制备硅系薄膜的工艺流程,包括物质输送、沉积反应和薄膜特性控制等技术方法。同时,对硅系薄膜的微观结构与性能进行了研究,探究了不同工艺条件下硅系薄膜结构、光学和电学特性的变化规律。实验结果表明,PECVD方法能够制备高质量的硅系薄膜,并通过调整工艺条件来控制其性能,具有广泛的应用前景和经济效益。关键词:PECVD法;硅系薄膜;微结构;性能研究一、引言本文以PECVD法制备硅系薄膜的技术为研究对象,探究了硅系薄膜的微观结构与性能,并分析