二硫化钼薄膜的刻蚀方法及其应用.docx
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二硫化钼薄膜的刻蚀方法及其应用.docx
二硫化钼薄膜的刻蚀方法及其应用论文题目:二硫化钼薄膜的刻蚀方法及其应用摘要:二硫化钼(MoS2)作为一种二维材料,具有优异的光学、电子和力学性质,因此在纳米电子学、能源储存和光电器件等领域具有广阔的应用前景。本论文主要探讨了二硫化钼薄膜的刻蚀方法及其在纳米器件制备中的应用。首先介绍了二硫化钼材料的特性和制备方法,随后详细讨论了常见的二硫化钼薄膜刻蚀方法,包括干法刻蚀和湿法刻蚀,以及其优缺点和适用范围。接着,介绍了二硫化钼薄膜在光电器件、传感器和储能器件等方面的应用,并展望了未来该领域的研究方向。最后,总结
二硫化钼基掺杂陶瓷相多元复合薄膜及其制备方法与应用.pdf
本发明公开了一种二硫化钼基掺杂陶瓷相多元复合薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼基掺杂陶瓷相多元复合薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/碳化硅/二硫化钼多层梯度过渡层和二硫化钼/碳化硅掺杂层。所述制备方法包括:采用磁控溅射技术,在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/碳化硅/二硫化钼多层梯度过渡层和二硫化钼/碳化硅掺杂层,获得二硫化钼/碳化硅复合薄膜。本发明的二硫化钼基掺杂陶瓷相多元复合薄膜具有高硬度(不小于8GPa)及弹性模量,结合力达到20N,真空环境摩擦系数达到0.01,不同湿度环境下均具有良好的
一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜.pdf
本申请适用半导体材料技术领域,提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜,包括:将硫源和钼源置于加热装置内,于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量,分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应,得二硫化钼薄膜;其中,硫源放置于刚玉舟内;钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片,并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜,能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入,能极大减小干扰因素,其良好的亲水性亦能极大
薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构.pdf
本发明适用于陶瓷电路板薄膜金属层刻蚀技术领域,提供了一种薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构,该方法包括:通过在陶瓷基板的上下表面沉积金属种子层;在所述金属种子层上表面的预留线路图形的位置制备金属图形,且任意相邻的第一金属图形与第二金属图形之间的间隔的深度与宽度比大于预设阈值;采用激光束刻蚀所述间隔中的底面的金属种子层。本发明中通过采用激光束刻蚀高深宽比图像之间的金属种子层,刻蚀精度高,且不存在湿法刻蚀中的钻蚀现象。
二硫化钼的制备方法及其应用.pptx
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