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摄像头介绍摄像头原理主要技术参数—像元主要技术参数—分辨率主要技术参数—帧数主要技术参数—信噪比主要技术参数—信噪比主要技术参数—信噪比主要技术参数—阱容主要技术参数—增益主要技术参数—动态范围主要技术参数—量子效率主要技术参数—成像速度和binning主要技术参数—成像速度和binning主要技术参数—成像速度和binning主要技术参数分类CCDCCDCCD中电荷包的转移是由各极板下面的势阱不对称引起的。电压高的地方,就会产生相对的势阱,电荷会聚集在势阱里。当高电压的位置按照一定方向转移时,势阱的位置也会随之转移,如此,电荷就会随着移动。 为了将CCD芯片中的电荷转移到输出节点处,需要在各个像元的电极间施加不同的偏压,通过电平信号的变换实现电荷的转移。通常电荷转移又分为单相驱动、双相驱动、三相驱动和四相驱动等多种方式。这几种驱动方式除了电极构造和电压波形不同外,其转移方式都是一样的。而4相CCD,其势阱与势垒各占据2个电极的宽度阻隔相临像素间电荷的溢出能力更强。适用于高速时钟CCD电荷转移方式原理演示Differentbucketsholddifferentamountsofrain电荷储存CCD工作原理演示RaingaugeisemptiedRaingaugeisemptiedRaingaugeisemptiedCCD当一个CCD芯片感光完毕后。每个像素所转换的电荷包,就按照一行的方向转移出CCD感光区域。为下一次感光放空间。 当一个像素聚集过多的电荷后,就会出现电荷溢出。溢出的电荷会跑到相临的像素势阱里去。这样电荷的电量就不能如实反映原物。也就是常说的blooming。要避免这种情况发生的方法: A把桶做大些 B让雨早点停 C间歇地,把装满水的桶到出一些 D做个导流管,让溢出的水流到地上去,不要流到其他桶里。对应的方法: A增大单位像素尺寸 B缩短曝光时间缺点:对于暗的部分曝光不足 C间歇开关时钟电压缺点:会降低速度 D溢出沟道和溢出门缺点:制作复杂,且还有缺陷 所以,增大像素尺寸是最完善的做法。CCD的电荷转移途径 光电荷的转移途径有CCD表面沟道(SCCD)和体沟道(BCCD,也称埋沟道)两种方式。其中表面沟道CCD的电荷转移途径距离半导体-绝缘体分界面较近,工艺简单,动态范围大,但信号电荷的转移受表面态的影响,转移速度和转移效率较低,工作频率一般在10MHz以下。为了消除这些缺点,提高CCD的工作速度,用离子注入的方法改变转移沟道的结构,从而使势能极小值脱离界面而进入衬底内部,形成体内的转移沟道,避免表面态的影响,这就是体沟道CCD,其转移效率大大提高,工作频率达到100MHz,且能做成大规模集成器件。电荷的输出 当完成对光敏元阵列的扫描后,CCD将光电荷从光敏区域转移至屏蔽存储区域。而后,光电荷被按顺序转移至读出寄存器。CCD芯片中常用的输出方式包括电流输出、浮置扩散放大器输出和浮置栅放大器输出。CMOS电荷的产生CMOS的像元结构相比CCD更为复杂,尽管没有单晶硅,不会减少对蓝光的灵敏度,但其相对较小的光敏区域降低了整体的光敏特性,同时也降低了芯片的满阱容量。信号的输出早期的CMOS芯片无法将放大器放在像素位置以内,称为无源光敏机构,CMOS像元主要由光电二极管和地址选通开关构成,填充因子较高,但噪声也较大。(1)成像过程:两者的光电转换原理相同,主要差别在于信号的读出过程不同。CCD仅有一个(或少数几个)输出节点统一读出,其信号输出的一致性非常好;而CMOS中每个像素都有各自的信号放大器,各自进行电荷-电压转换,信号输出的一致性较差。CCD为了读出整幅图像信号,要求输出放大器的信号带宽较宽,而在CMOS中,每个像元中的放大器的带宽要求较低,大大降低了芯片的功耗,但数以百万的放大器的不一致性却带来了更高的固定噪声。(2)集成性:CCD中的电路和器件是集成在半导体单晶材料上,工艺较复杂。其仅能输出模拟电信号,需要后续的地址译码器、模数转换器、图像信号处理器处理,并且还需要提供三组不同电压的电源和同步时钟控制电路,集成度非常低。而CMOS能将图像信号放大器、信号读取电路、A/D转换电路、图像信号处理器及控制器等集成到一块芯片上,集成度高,芯片级相机的概念也是从这里产生的。(3)速度:CCD采用这个光敏元输出,只能按规定的程序输出,速度较慢。CMOS有多个电荷-电压转换器和行列开关控制,读出速度较快。此外,CMOS的地址选通开关可随机采样,实现子窗口输出,在仅输出子窗口图像时可获得更高的速度。(4)噪声:CCD采用PN结或二氧化硅隔离层隔离噪声,成像质量相对CMOS有一定的优势。而CMOS的集成度较高,各元件、电路之间距离很近,干扰较为严重,噪声对图片质量影响很大。 (5)功耗:CCD需要3路电源来满足特殊时