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第三章场效应管及其放大电路一.场效应管的分类1.基本结构
图3.1是N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构示意图。利用栅源电压uGS的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流iD的大小。
分析：主要讨论uGS对iD的控制作用。
(1)当uGS=0时(见图3.2a),不论所加电压uDS的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，则漏极电流iD≈0。
(2)当栅源极之间加正向电压uGS(见图3.2b)，(3)当栅极与源极之间加正向电压uGS≥UT时(见图3.2c)，被吸到表面层中的自由电子较多，填补空穴后还有剩余，在表面层中形成一个N型层，通常称为反型层；它就是沟通源区和漏区的N型导电沟道。形成导电沟道后，在漏极电源uDS的作用下，将产生漏极电流iD，MOS管即导通。场效应管是利用场效应原理工作的。(4)形成反型层的导电沟道后，uGS正值愈高，导电沟道愈宽，即
改变uGS→改变沟道宽度→改变iD
uGS↑↓→沟道宽度↑↓→iD↑↓
综述：当0＜uGS＜UT时，漏、源极间沟道尚未联通，iD≈0；当uGS≥UT时，随uGS变化iD随之变化。达到uGS对iD的控制，故称MOS管为电压控制元件。3.特性曲线输出特性曲线见图3.3(b)(1)开启电压UT
表述：在一定的漏源电压UDS作用下，使管子由截止变为导通的临界栅源电压uGS，称为开启电压UT。
表达式：(3)饱和漏极电流IDSS
表述：在一定的漏源电压uDS(通常为10V)作用下，当uGS=0时的漏极电流，称为饱和漏极电流IDSS。
表达式：1.基本结构
图3.5是N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构示意图。制造时在二氧化硅绝缘层中渗入大量的正离子，在它的作用下，即使uGS=0时，在两个N型区之间形成原始N型导电沟道。2.工作原理
1)在uDS为常数的条件下，当uGS=0时，漏源极间已导通，iD≠0；
2)在uDS为常数，uGS＞0时，沟道变宽，iD↑；
3)在uDS为常数，uGS＜0时，沟道变窄，iD↓；
4)当uGS达到一定负值时，沟道被夹断，iD≈0；MOS管截止，UGS值称为夹断电压。3.特性曲线如图3.6所示(1)输入端:
由于场效应管是利用场效应原理工作的，不向信号源取用电流，故输入端呈开路状态。
(2)输出端:由伏安特性可知图3.4FET的微变等效电路及高频模型3.2场效应管放大电路二.静态分析由图3.9得其分压式场效应管放大电路的交流通路和微变等效电路，如图3.10和图3.111.放大电路的放大倍数第四章作业及思考题此课件下载可自行编辑修改，供参考！
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