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第9章基本放大电路B二、工作状态⑵电流的关系 IE=IB+ICIB微小的变化,会产生IC很大的变化。 IC=βIB。 0<UCE<UCC,UCE=UCC-RCIC。 晶体管相当于通路。特点: IB↑,IC基本不变。 IC≈UCC/RC。 UCE≈0。 晶体管相当于短路。特点: IB=0 IC=0 UCE=UCC 晶体管相当于开路。晶体管处于放大状态。 (2)开关S合向b时UCE=0V 晶体管处于饱和状态。因为若 IC=IB=100×0.1mA=10mA UCE=UCC-RCIC=(15-5×103×10×10-3)V=-35V UCE<0,这是不可能的,即不可能处于放大状态。 (3)开关S合向c时 IB=0,IC=0,UCE=UCC=15V 晶体管处于截止状态。三、特性曲线2.输出特性 IC=f(UCE)∣IB=常数动态电流放大系数 2.穿透电流ICEO 3.集电极最大允许电流ICM 4.集电极最大耗散功率PCM PC=UCE×IC 5.反向击穿电压U(BR)CEO9.2放大电路的工作原理RBiB9.3放大电路的静态分析RB[例9.3.1]在如图所示的固定偏置放大电路中,已知UCC=6V,RB=180kΩ,RC=2kΩ,=50,晶体管为硅管。试求放大电路的静态工作点。二.静态工作点的影响9.4放大电路的动态分析在放大电路中:ri大Ui大Uo大; ri大Ii小可减轻信号源的负担;3.输出电阻ro若ro小,带载能力强;反之带载能力差。4.放大电路的频率特性[解](1)RL RL+ro二、放大电路的微变等效电路晶体管从输入端看,可以用一个等效的动态电 阻rbe代替。+ Uce -IiAu=[例9.4.2]求[例9.3.1]放大电路的空载电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。9.5双极型晶体管基本放大电路(2)增加发射极电阻RE, 可以稳定IC。RB13.动态分析Au=RB3.动态分析Au=RB13.动态分析Au=9.6场效应型晶体管 P型硅衬底按导电沟道形成的不同分为: 增强型—简称E型 耗尽型—简称D型三、工作原理四、特性曲线耗尽型PMOS管9.7场效应型晶体管基本放大电路2.动态时只要UGS>UGS(off),导电沟道就不会消失。 IG=0 1.静态时 uGS=-RSIS 2.动态时 与增强型一样。9.8多级放大电路2.动态分析⑴Au=Au1×Au2 其中:RL1=ri2, ⑵ri=ri1 ⑶ro=ro21.静态分析 前后级静态工作点相互影响,相互制约;不能 独立设置。 2.动态分析 分析方法同直接耦合放大电路。 可以放大直流信号。 3.零点漂移[例9.6.1]如图所示放大电路,已知RB1=33k,RB2=RB3=10k,RC=2k,RE1=RE2=1.5k,两晶体 管的1=2=60,rbe1=rbe2=0.6k。求总电压放大倍数。=k9.9差分放大电路(1)共模输入信号ui1=ui2 uc1=uc2 uo=uc1-uc2=0 对共模信号无放大作用; 即Ac=0。(2)差模输入信号ui1=ui2RC2.同相输入9.10功率放大电路二、乙类放大互补对称放大电路3.动态时三、甲乙类放大互补对称放大电路第9章结束