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基于电容结构的α-SiGe∶H膜电学退化特性
中文摘要：
α-SiGe∶H膜由于其优异的光学、电学性能在各种微电子器件中得到了广泛的应用，但是其电学性能会随着使用时间的增加而退化，这是其应用受限的主要原因。我们通过实验发现，该膜的电学退化特性是由于其电容结构的漏电流增加导致的。本论文通过各种方法来探究这一问题，研究结果将为改进电容结构和延长膜的寿命提供指导。
Abstract:
α-SiGe∶Hthinfilmhasbeenwidelyusedinvariousmicroelectronicdevicesduetoitsexcellentopticalandelectricalproperties.However,itselectricalperformancewilldegradewiththeincreaseofusagetime,whichisthemainreasonforitslimitedapplication.Wefoundthroughexperimentsthattheelectricaldegradationofthefilmiscausedbytheincreaseofleakagecurrentinitscapacitivestructure.Thisthesisexploresthisissuethroughvariousmethods,andtheresearchresultswillprovideguidanceforimprovingthecapacitorstructureandextendingthelifeofthefilm.
正文：
引言
随着微电子技术的不断发展，薄膜技术已经成为微电子器件中不可或缺的一部分，其中α-SiGe∶H薄膜以其光学、电学性能优异在这一领域中得到广泛应用。不过，随着α-SiGe∶H膜使用时间的增加，其电学性能会逐渐退化，降低了其在微电子器件中的应用范围。因此，研究α-SiGe∶H膜的电学退化机制，探究如何改进膜的电学性能，是非常有必要的。
实验方法
我们使用自制的测试平台测试了α-SiGe∶H膜的电容结构，并通过不同的测试方法来研究膜的电学退化特性。
第一种测试方法：通过恒压法测量电容结构的充电曲线。
第二种测试方法：利用交流方法的恒流法，得到了电容结构的交流阻抗谱。
第三种测试方法：通过暂态响应测量功率谱密度，来研究膜的电学噪声组成。
实验结果
通过实验，我们发现随着α-SiGe∶H膜使用时间的增加，其电容结构中的漏电流会逐渐增加，从而导致电学性能下降。实验结果显示，漏电流的增加主要是因为膜的界面粘附不够牢固导致的。
讨论
根据我们的研究，我们认为通过改进膜的界面粘附强度可以有效地减少漏电流，从而延长α-SiGe∶H膜的寿命。此外，在制备过程中应该保证膜的结构均匀一致，以减少漏电流的形成。
结论
本研究发现，α-SiGe∶H膜的电学退化特性是由于其电容结构的漏电流增加导致的。改进膜的界面粘附强度和制备过程中的质量控制可以有效地解决膜的电学退化问题，从而延长其使用寿命。
参考文献
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