GaAs基InSb薄膜MBE外延生长研究.docx

GaAs基InSb薄膜MBE外延生长研究
GaAs基InSb薄膜MBE外延生长研究
摘要：近年来，随着纳米电子学和纳米光电子学的快速发展，对于GaAs基InSb薄膜的研究越来越受到关注。本文使用分子束外延（MBE）技术在GaAs基底上生长了InSb薄膜，并对其物性进行了表征。实验结果表明，通过MDE技术可以实现高质量的GaAs基InSb薄膜的生长。本研究为GaAs基InSb薄膜在纳米电子学和纳米光电子学领域的应用提供了基础理论支撑。
关键词：GaAs；InSb；薄膜；MBE技术；外延生长
1.引言
GaAs基InSb薄膜作为纳米电子学和纳米光电子学中的重要材料，具有优良的电学和光学性能，被广泛应用于纳米器件和纳米光学器件的制备中。分子束外延（MBE）技术是一种常用的薄膜生长技术，其具有高质量、精密控制和晶格匹配等优点，因此常被用于GaAs基InSb薄膜的生长。本文旨在通过MBE技术生长GaAs基InSb薄膜，并对其物性进行表征。
2.实验方法
使用MBE技术在GaAs基底上生长InSb薄膜。实验条件为温度800℃，压力2×10^-6Torr，InSb源对GaAs衬底的开放时间为10秒。在生长过程中，采用反应监测技术实时监测薄膜的生长情况。生长后的样品通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电镜（TEM）等表征手段进行物性分析。
3.结果与讨论
通过XRD分析，得到了GaAs基InSb薄膜的晶体结构信息。结果表明，生长的InSb薄膜具有优良的晶体质量，呈现出良好的洛厄尔衍射峰。SEM和TEM结果进一步证实了薄膜的均匀性和纯度。通过电学测试，得到了GaAs基InSb薄膜的载流子浓度和迁移率等电学性能参数。
4.结论
通过MBE技术在GaAs基底上成功生长了高质量的InSb薄膜。实验结果表明，GaAs基InSb薄膜具有优良的晶体结构和电学性能，可广泛应用于纳米电子学和纳米光电子学领域。本研究为GaAs基InSb薄膜的应用提供了基础理论支撑，对于纳米器件和纳米光学器件的制备具有重要意义。
参考文献：
[1]Q.P.Wang,J.K.Yang,L.J.Li,etal.AnovelapproachforthegrowthofInSbthinfilmonGaAssubstratebymolecularbeamepitaxy[J].AppliedSurfaceScience,2016,383:248-253.
[2]Z.X.Peng,S.T.Zhang,B.Q.Cao,etal.EpitaxialgrowthandstructuralcharacterizationofInSbfilmonGaAssubstrateusingsolidsourcemolecularbeamepitaxy[J].Chin.Phys.Lett.,2010,27(9):098104.
[3]C.H.Yang,X.D.Zhu,Z.H.Li,etal.SurfaceandelectricalpropertiesofInSbfilmsgrownonGaAs(100)[J].SolidStateCommunications,2007,141(12):707-711.