石墨烯-六方氮化硼平面异质材料的可控制备.docx
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石墨烯-六方氮化硼平面异质材料的可控制备石墨烯-六方氮化硼平面异质材料的可控制备摘要:石墨烯-六方氮化硼平面异质材料作为一种具有广泛应用潜力的二维材料体系,引起了广泛的研究兴趣。本文主要综述了石墨烯-六方氮化硼平面异质材料的可控制备方法。首先,介绍了石墨烯和六方氮化硼的基本性质。然后,详细阐述了几种常用的制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积法和液相外延法。最后,对未来石墨烯-六方氮化硼平面异质材料的应用前景进行了展望。关键词:石墨烯;六方氮化硼;异质材料;可控制备引言:石墨烯作为一种具有独特电子结构和优
石墨烯氮化硼异质结制备及应用研究进展.docx
石墨烯氮化硼异质结制备及应用研究进展随着纳米科技和新材料领域的发展,石墨烯和氮化硼作为新型材料备受关注。更为重要的是它们的异质结,因为异质结可以将两种材料的优点结合起来从而获得更优异的性能。本文将介绍石墨烯氮化硼异质结的制备方法以及其应用研究进展。一、石墨烯氮化硼异质结的制备方法1.基于气相沉积法的制备方法气相沉积法是一种在高温和压力下通过化学反应来生长异质结的先进技术。这种方法是在化学气相沉积反应条件下,加入适量的前驱体来沉积异质结。这是一种常用的制备异质结的方法之一。2.热解法的制备方法在石墨烯和氮化
一种石墨烯/氮化硼层状异质结构及其制备方法.pdf
本发明属于无机纳米材料领域,具体涉及一种石墨烯/氮化硼层状异质结构及其制备方法。该方案提出的复合异质结构,石墨烯表面被氮化硼覆盖,横向长度为30~80μm。所述方法包括:在去离子水中依次加入分散剂和石墨烯经处理形成稳定分散液,再加入氧化硼在一定温度下恒温搅拌至浓稠泥浆状,涂覆于刚玉舟表面,真空干燥后得到前驱体;将其置于真空管式炉中,在氩气气氛中持续加热至一定温度后再通入氨气进行反应得到初步产物,经处理后可得到所述层状异质结构材料。本发明工艺简单,不需任何金属催化剂,材料纯度高、结晶性好,集合了石墨烯与氮化
一种原子级厚度石墨烯/氮化硼复合异质薄膜及制备.pdf
本发明公开了一种原子级厚度石墨烯/氮化硼(Gra/BN)复合异质薄膜及其制备方法,目的是提高石墨烯薄膜的制样成品率。技术方案提出一种原子级厚度Gra/BN的双层或多层复合异质结构,石墨烯表面被氮化硼覆盖保护;提出的制备方法首先将高分子支撑材料(SP)覆盖在生长于某基底的氮化硼上,去除基底,清洗BN/SP薄膜;将之转移到生长于某基底上的石墨烯上,去除基底,清洗Gra/BN/SP薄膜;重复上述过程可至制备任意层数复合异质薄膜。本发明利用氮化硼与石墨烯相当的力学性能,以氮化硼充当石墨烯保护层,解决了石墨烯薄膜的
一种石墨烯‑六方氮化硼面内异质结的制备方法.pdf
本发明公开一种石墨烯‑六方氮化硼面内异质结的制备方法,首先在铜箔表面以预制图案的掩膜沉积纳米级厚度的镍层;其次将获得的铜箔基底置于管式炉中,通过化学气相沉积方法不间断、依次地沉积石墨烯与六方氮化硼;最后控制冷却速度,使管式炉降温至室温。本发明在化学气相沉积法生长的基础上,利用石墨烯在铜与铜镍合金表面生长机理的不同,在特定生长条件下,石墨烯仅在铜表面生长,六方氮化硼在未覆盖石墨烯的合金表面生长,从而只利用一次化学气相沉积步骤制备出带有预制图案的石墨烯‑六方氮化硼面内异质结。