有机分子铁电薄膜的生长和性质研究.docx
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有机分子铁电薄膜的生长和性质研究标题:有机分子铁电薄膜的生长和性质研究摘要:随着纳米材料领域的快速发展,有机分子铁电薄膜作为一类重要的功能材料,引起了广泛关注。本文主要综述了有机分子铁电薄膜的生长方法和性质研究。首先介绍了有机分子铁电薄膜的基本概念和研究背景,然后重点论述了常见的有机分子铁电薄膜的生长方法,包括溶液法、气相法和蒸发法等。接着,讨论了有机分子铁电薄膜的性质研究,包括电学性质、结构性质和光学性质等方面。最后,总结了现阶段有机分子铁电薄膜研究的进展和存在的问题,并展望了未来的研究方向。1.引言有
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铁电薄膜生长及器件制备工艺的研究概述铁电材料在信息存储、传感器、微机电系统(MEMS)等领域有着广泛的应用。铁电薄膜是铁电器件的关键元件,而薄膜生长及器件制备工艺的研究则是铁电器件实现的基础。本文主要介绍铁电薄膜生长及器件制备工艺的研究现状和发展趋势。铁电薄膜生长技术目前,常见的铁电材料有Pb(Zr,Ti)O3(PZT)、BaTiO3(BTO)、SrBi2Ta2O9(SBT)等。铁电薄膜的制备一般采用物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD),还有溶液法制备薄膜。其中PVD法包括磁控溅射、电子束蒸发、
一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用.pdf
本发明公开一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用,该铁电薄膜的制备方法为:将石墨烯或氮化硼的二维层状材料转移到硅片表面、作为衬底,并以高氯酸咪唑粉末作为生长源;将生长源和衬底置于管式炉的石英管中,两者间隔距离放置,对石英管抽真空;启动管式炉,加热炉体至生长源位置处温度为100~110℃、保温1~2h,生长源通过气相挥发,在石墨烯或氮化硼上沉积形成高氯酸咪唑铁电薄膜。通过有机分子薄膜之间以及有机分子与衬底之间微弱的范德瓦尔斯力作用,采用气相沉积,可得到分子级厚度的超薄层铁电薄膜,并在超薄