基于ZnO的异质结的组建及其光电性能研究.docx
快乐****蜜蜂
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
基于ZnO的异质结的组建及其光电性能研究.docx
基于ZnO的异质结的组建及其光电性能研究摘要:本文研究了基于ZnO的异质结的组建及其光电性能,利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了ZnO异质结薄膜,并采用XRD、SEM、TEM等方法对其进行表征。结果显示,获得的ZnO异质结薄膜具有较好的结晶性和优良的组织形态。进一步的光电性能测试发现,该异质结具有优异的光电响应特性,其中光电转换率高达68%。该研究将为ZnO异质结在光电器件方面的应用提供理论和实践基础。关键词:ZnO;异质结;MOCVD;光电性能一、引言异质结是半导体器件中应用最为广泛的结构之一,其具
非极性ZnO薄膜及其异质结器件的制备与性能研究.docx
非极性ZnO薄膜及其异质结器件的制备与性能研究随着半导体材料的发展和科技的不断进步,非极性ZnO材料及其异质结器件,因其具有优异的性能和潜在的应用前景,成为了研究的热点之一。本文将从制备、性能和应用等方面对其进行研究和分析。一、制备技术非极性ZnO薄膜及其异质结器件的制备技术主要有物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、溶液法、磁控溅射法等。其中,PVD法制备的非极性ZnO薄膜具有高品质、高纯度、低掺杂的特点,但其制备设备成本高,有一定局限性。而CVD法适用于制备大面积的非极性ZnO薄膜,制备过程
异质结ZnOZnS纳米线的制备及其光电性能的研究.docx
异质结ZnOZnS纳米线的制备及其光电性能的研究摘要:异质结ZnOZnS纳米线具有优异的光电性能,在光电子器件和太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。本文利用溶液法合成了异质结ZnOZnS纳米线,并对其结构和光电性能进行了研究。通过透射电子显微镜(TEM),扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等技术对样品进行了表征。结果表明,异质结ZnOZnS纳米线具有单一晶相和纳米线形态。通过光电流-电压(I-V)曲线和光致发光(PL)光谱测量,研究了异质结ZnOZnS纳米线的光电转换性能。实验结果显示,异质结
基于InGaAd的异质结光电器件性能提升的研究.docx
基于InGaAd的异质结光电器件性能提升的研究基于InGaAs的异质结光电器件性能提升的研究摘要:随着半导体技术的不断发展,光电器件在通信、信息处理和能源转换等领域起到越来越重要的作用。InGaAs是一种重要的半导体材料,具有宽的光电响应范围和较高的电子迁移率。本论文主要研究了InGaAs异质结光电器件的性能提升方法,包括材料优化、器件设计和工艺改进。通过实验和模拟的方法,我们验证了这些方法对提高光电器件的性能起到重要作用,并展望了未来的研究方向。关键词:InGaAs、异质结、光电器件、性能提升、材料优化
SiNiO异质pn结的光电性能研究.docx
SiNiO异质pn结的光电性能研究光电性能是衡量一种材料在光学和电子方面性能的重要指标之一。SiNiO异质pn结作为一种新型材料,在光电器件的应用中具有潜在的优势。本文将从材料特性、光电探测和光电转换方面综述SiNiO异质pn结的光电性能研究。一、SiNiO异质pn结的材料特性SiNiO异质pn结由硅silicon(Si)、镍Nickel(Ni)和氧气Oxygen(O)构成。这种结构具有以下几个关键特性。首先,SiNiO异质pn结具有很好的化学稳定性。材料中的Si和O元素使得结构具有较高的热稳定性,对常见