材料科学基础位错反应和扩展位错ppt课件.ppt

第三章晶体缺陷（六）——实际晶体结构中的位错面心立方晶体中的典型位错4.位错反应①一个位错分解成两个或多个具有柏氏矢量的位错，面心立方晶体中一个全位错分解成两个肖克莱不全位错。上例中：例：fcc中，柏氏矢量为的位错能否分解成单位位错？1)汤普森四面体c）汤普森四面体的展开
用于表示fcc晶体中的位错反应ABBB所有希－希向量也都可以根据向量合成规则求得：2)扩展位错面心立方中扩展位错的进一步解释：2)扩展位错但如果滑移分两步完成，即先从B1位置沿A原子间的“低谷”滑移到邻近的C位置，即；然后再由C滑移到另一个B2位置，即，这种滑移比较容易。每一步滑移造成了层错，因此，层错区与正常区之间必然会形成两个不全位错。故和为肖克莱不全位错。也就是说，一个全位错分解为两个肖克莱不全位错和，全位错的运动由两个不全位错的运动来完成，即2)扩展位错B（1）扩展位错的宽度当f与层错能γ相等时，处于平衡

∴扩展位错的宽度:纯螺位错在面上分解在外力作用下，扩展位错收缩成原来的全位错的过程称为束集。由于扩展位错只能在其所在的滑移面上运动，若要进行交滑移，扩展位错必须首先束集成全螺位错，然后交滑移到面上，重新分解成新的扩展位错，继续运动。扩展位错的交滑移过程30（3）位错网络Dislocationnetwork设：反应过程——该扩展位错在各自的滑移面上相向移动，当扩展位错中的一个不全位错到达交线BC时，发生位错反应：面心立方结构中，在和面上有两个全位错b1和b2：两个全位错b1和b2发生分解，形成扩展位错：在外力作用下，两个扩展位错向两个滑移面的交线处滑移。两个领先不全位错b12和b21在交线[110]处相遇，发生合成反应：例题一
解:①几何条件

②能量条件例题二41在A1的单晶体中，若(111)面上有一位错与
面上的位错发生反应时，

(1)写出上述位错反应方程式，并用能量条件判明位错反应进行的方向，
(2)说明新位错的性质；
解：(1)(1)bcc滑移面有{111}{112}{113}单位位错b=a/2〈111〉bcc中易发生交滑移，没有扩展位错，没有位错分解
(2)hcp全位错
(3)关于离子晶体的位错、共价晶体中的位错、高分子晶体中的位错请参考教材及有关资料。45464748练习四50