完整word版焰熔法Verneuil.doc

(完整word版)焰熔法Verneuil
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焰熔法Verneuil
1885年由弗雷米(Fremy)、弗尔(Feil)和乌泽(Wyse)发明。1902年法国化学家维尔纳叶(Verneuil)改进并发展这一技术，并进入产业化生产。因此，这种方法又被称为维尔纳叶法。焰熔法是从熔体中生长单晶体的方法。粉末状原料在通过高温氢氧火焰后被熔化，熔滴下落到籽晶上凝固逐渐生长形成晶体，也就是说焰熔法是利用氢气及氧气在燃烧过程中产生高温，使粉末原料通过氢氧焰加热熔化，然后滴落在一个冷却的结晶杆上形成单晶。

提拉法
晶体提拉法(crystalpullingmethod)由J.Czochralski于1918年发明，故又称“丘克拉斯基法”，简称Cz提拉法，是利用籽晶从熔体中提拉生长出晶体的万法.能在矩期内生长出高质量的单晶，此法是由熔体生长单晶的一项最主要的方法.主要原理是被加的增竭中盛着熔融的料，籽晶杆带着籽晶由上而下插入熔体，由于固液界面仔近的熔体维持一定的过冷度、熔体沿籽晶结晶，并随籽晶的逐渐上升而生长成棒状里晶。柑祸可以由高频感应或电阻加热。半导体锗、硅、氧化物单晶如忆铝石榴石、车嫁石榴石、妮酸铿等均用此方法生长而得。应用此方法时，控制晶体品质的主要因z是固液界面的温度梯度、生长速率、晶转速率以及熔体的流体效应等。

泡生法(KyropoulosMethod)
泡生法是Kyropoulos于1926年发明的一种晶体生长方法，简称KY法。
晶体生长的原理和技术特点是：将晶体原料放入耐高温的坩埚加热融化，调整炉内温度场，食熔体上处于稍高于熔点的状态；使籽晶接触熔融液面，待其表面稍熔后，降低表面温度至熔点，提高并转动籽晶杆，使熔体顶部处于过冷状态而结晶于籽晶上，在不断提拉的过程中，生长出圆柱状晶体。