基于SiC MOSFET的低压交流伺服驱动器的研究的任务书.docx
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基于SiCMOSFET的低压交流伺服驱动器的研究的任务书任务书1.任务目标本研究的目标是基于SiCMOSFET设计和开发一种低压交流伺服驱动器。主要包括以下任务:(1)研究低压交流伺服驱动器的工作原理和控制策略,包括电压控制和电流控制等方面的内容。(2)设计基于SiCMOSFET的电路,包括全桥变换器和三相逆变器等电路,并进行仿真验证。(3)设计伺服控制器,实现伺服驱动器的开环和闭环控制,包括速度环、位置环和功率环等。(4)搭建实验平台,测试和验证设计的低压交流伺服驱动器的性能和优点。2.研究内容(1)低
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基于SiCMOSFET的低压交流伺服驱动器的研究的中期报告本中期报告主要介绍了基于SiCMOSFET的低压交流伺服驱动器的研究进展,涵盖研究背景、研究目标、研究内容和进展情况四个方面。一、研究背景如今,随着电动汽车、智能家居等领域的快速发展,对电动驱动技术的要求不断提高。在电动机空载时,作为关键部件之一控制器的效率对整个系统的能量利用效率至关重要。SiCMOSFET作为一种新型的功率半导体元件,相比于传统的SiMOSFET具有更高的开关速度和更低的开关损失,是低压交流伺服驱动器中非常有潜力的应用。因此,在
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基于SiCMOSFET的两电平交流伺服驱动器主回路损耗研究【摘要】本文基于SiCMOSFET的两电平交流伺服驱动器主回路损耗研究,介绍了SiCMOSFET的基本原理及其优势,并以两电平交流伺服驱动器为例,分析了其主回路的损耗机理及影响因素。通过实验测量,验证了理论分析的正确性。【关键词】SiCMOSFET;两电平交流伺服驱动器;主回路损耗一、引言近年来,随着新能源发展及智能化制造的推广,伺服驱动器作为一种重要的电力控制设备,正在逐渐普及。传统的伺服驱动器主要采用IGBT器件作为功率管,但随着功率的不断提升
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基于SiC MOSFET的辅助变流器应用研究的任务书.docx
基于SiCMOSFET的辅助变流器应用研究的任务书任务书一、研究背景随着电力系统的发展,直流输电在高压大容量输电中越来越普遍。而在直流输电过程中,需要使用辅助变流器对电流和电压进行调节。传统的辅助变流器使用的是IGBT元件,但是这种元件存在着很多缺点,比如开关速度慢、能量损耗大等问题。因此,近年来,基于SiCMOSFET的辅助变流器越来越受到研究者的关注。SiCMOSFET是一种新型的功率微电子器件,相比传统的功率半导体器件有着更好的性能,比如更低的开关损耗、更高的开关速度、更高的温度耐受能力和更高的频率