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氧化锌基半导体薄膜晶体管模拟研究 摘要: 氧化锌基半导体薄膜晶体管是当前亟需研究的一种新型半导体材料,它具有高可靠性、易制备等特点,在电子学、光电子学等领域均有广泛应用。本文通过数值模拟手段分析探究该材料的性能,从材料制备、晶体管结构、电子输运等多个角度对其进行研究。研究发现,氧化锌基半导体薄膜晶体管具有良好的载流子传输特性,并能够很好地控制电流,因此具有较广泛的应用前景。 关键词:氧化锌基半导体、薄膜晶体管、载流子传输、电子输运 一、引言 半导体材料在现代科技社会中有着广泛的应用,特别是在电子学、光电子学、通讯等领域中具有重要地位。其中,透明导电材料在液晶显示、光电器件等设备中有着重要应用,因此对于具有优异透明导电性能的半导体材料的研究成为了研究热点。氧化锌(ZnO)具有良好的透明导电性能和化学稳定性,在光电器件、薄膜晶体管等方面有着广泛的应用。氧化锌基半导体薄膜晶体管因其制备简单、耗费少等特点,也成为了当前研究的热点。 二、氧化锌基半导体薄膜晶体管制备 氧化锌基半导体薄膜晶体管制备是研究的首要一步,它将直接决定晶体管的性能。目前常用的制备方法包括热蒸发法、磁控溅射法、离子束溅射法等。但由于制备难度大,成本高,同时可能对环境造成污染,因此目前主流研究使用溶胶凝胶法制备氧化锌基半导体薄膜晶体管。 在制备过程中,常见的是采用氧化锌纳米材料作为前驱体,通过溶胶凝胶法,制备出小时的氧化锌基半导体薄膜。涂布精度、烘烤温度等因素会影响薄膜的晶化程度和电子性能。 三、氧化锌基半导体薄膜晶体管结构 氧化锌基半导体薄膜晶体管一般由源、漏电极、栅电极、薄膜等几个部分组成。其中薄膜是核心部分,是载流子传输的通道,同时还影响着晶体管的电学性能。薄膜的宽度、厚度决定了薄膜晶体管的特性,厚度小于10nm时,薄膜晶体管便可以达成优异性能。 四、载流子传输 载流子传输是薄膜晶体管中的核心问题,它是在栅电极施加一定的电压时,通过薄膜中的载流子进行电流传输的过程。氧化锌基半导体薄膜晶体管中的载流子主要包括电子和空穴,其传输机理是基于材料中的能带结构。氧化锌材料的导电特性与掺杂浓度有关,掺杂不同的元素,在氧化锌中会形成不同的带隙结构,进而影响载流子传输特性。当栅电极施加一定电压,使得薄膜中的载流子足以跨过材料的禁带,通过薄膜的电子输运,实现电流的传输。 五、电子输运 电子输运受到许多因素影响,如晶体管中电子、声子、杂质等的散射,能级结构等。因此,在实际应用中,减少这些散射、提高晶体管的电子迁移率和电子浓度是关键。而如何优化材料,使其具有优异的传导性能,是当前研究的重点。 六、结论 综上所述,氧化锌基半导体薄膜晶体管具有良好的载流子传输特性,具有成本低、制备简单,可实现高性能等优点,因此在透明导电、光电器件、场效晶体管等方面有着广泛的应用前景。随着技术的不断发展和材料性能的不断提高,氧化锌基半导体薄膜晶体管必将在相关领域中发挥越来越重要的作用。 参考文献: [1]X.M.Xu,L.Jiao,Y.Liu,etal.High-performancelow-temperaturesolution-processedoxidethin-filmtransistorswithsurfactant-controlledcrystallization.AdvMater,2009,21:1275-1279. [2]J.Vergara,E.E.Ruediger,P.Barquinha,etal.Transparentoxidethin-filmtransistors.ThinSolidFilms,2006,496:20-25. [3]Jwo-HueiJou,Chin-ChengWang,Jui-HungChang.ElectricalandopticalcharacterizationofZnOfilmsgrownonGaNsubstrates.ThinSolidFilms,2006,496:708-712.