基于CVD二硫化钼的新型器件制备及研究的任务书.docx

基于CVD二硫化钼的新型器件制备及研究的任务书
任务书
一、任务背景
随着信息技术的不断发展，人们对高性能、高速度、高可靠性的电子器件的需求越来越大。二硫化钼因其优异的电学、热学和力学性能，在半导体领域的应用备受关注。然而，目前制备二硫化钼器件的方法主要是化学气相沉积和机械剥离法，这些方法存在着较大的局限性：制备复杂，生产成本高。而利用CVD技术制备二硫化钼的方法在近几年的研究中受到了广泛的关注，并取得了一些重要进展。因此，本次任务旨在基于CVD二硫化钼的新型器件制备及研究。
二、任务内容
1.掌握CVD制备二硫化钼的方法。
2.制备二硫化钼晶体。
3.制备CVD二硫化钼薄膜，并对薄膜进行表征。
4.制备二硫化钼的器件，并对器件进行测试。
5.分析器件性能，并对结果进行撰写。
三、任务要求
1.了解二硫化钼相关理论知识。
2.掌握CVD二硫化钼制备技术，并能够对其进行初步优化。
3.对制备薄膜的设备和材料有一定的掌握。
4.掌握二硫化钼器件的制备流程和测试技术。
5.学习使用仪器，如显微镜、光学显微镜、扫描电子显微镜等。
6.能够独立完成实验操作，并具有初步的数据处理和分析能力。
7.能够撰写实验报告，熟练使用英文文献。
四、实验条件
实验所需设备和材料：
1.二硫化钼单晶材料。
2.气相沉积设备。
3.PECVD薄膜沉积系统。
4.X射线衍射仪，傅里叶变换红外光谱仪，拉曼光谱仪等材料表征仪器。
5.电子束蒸发仪、光刻仪、等离子刻蚀机等制备器件的设备。
6.DC源、热阻仪等测试仪器。
五、实验安全措施
1.了解所使用化学药品的性质和危害，并戴防护手套、口罩和护目镜，避免直接接触药品。
2.对于所使用的高压设备，应按照操作规程进行，避免发生器件短路、电击等事故。
3.严格按照实验室安全规定执行操作，以保证人身安全和实验设备的完好。
六、预期成果
1.掌握CVD制备二硫化钼的方法。
2.制备出高质量的二硫化钼晶体和薄膜，并进行表征。
3.制备出二硫化钼器件，并对器件进行测试。
4.对器件性能进行分析，撰写实验报告。
5.为后续的二硫化钼器件研究提供技术和理论支持。
七、时间安排
预计实验时间为6个月，具体时间安排如下：
第1-2月：学习晶体生长知识，掌握CVD二硫化钼制备方法。
第2-3月：制备二硫化钼晶体，进行光学、结构、电学等表征。
第3-4月：制备CVD二硫化钼薄膜，进行结构、光学、电学等表征。
第4-5月：制备出二硫化钼器件，对器件进行测试。
第5-6月：对器件测试结果进行分析并撰写实验报告。
八、经费预算
实验所需经费主要包括材料费、设备使用费、人员费用、维修费等，预计总经费为20万元。其中，材料费用预计为2万元，设备使用费预计为10万元，人员费用预计为5万元，维修费用预计为3万元。
九、实验组成员
本实验组由指导教师和指导学生组成，指导教师需具有博士学位或博士后研究经验，熟悉二硫化钼研究领域相关理论和实验操作，指导学生需具有本科或研究生学历，具备基础的物理、化学、材料学等学科知识，并熟练操作各种物理化学仪器设备。
十、任务评估
实验成果将根据撰写的实验报告以及器件性能测试结果进行评估，评价标准主要包括实验设计的合理性、实验操作的准确性、数据处理和分析的可靠性等方面。对于实验成果优秀、表现突出的研究者，将予以表彰和奖励。