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SiGeBiCMOS工艺28GHz功率放大器设计的任务书
任务书
1.0背景
28GHz频段被广泛应用于5G通信、卫星通信、雷达和微波雷达等领域。功率放大器是28GHz部件中最基本的组成部分之一，其作用是对信号进行放大，以便在本地或外部传输。
SiGeBiCMOS工艺是一种高性能的半导体工艺，集成了SiGe域和CMOS域的优点，在高频率、低噪声、低功耗等方面表现出色。因此，使用SiGeBiCMOS工艺可以实现更高性能的28GHz功率放大器。
本次设计的任务是设计一种28GHz功率放大器，使用SiGeBiCMOS工艺，并满足如下要求：
1.功率输出不少于5W。
2.增益不少于20dB。
3.输入输出阻抗适配。
4.频率响应平坦。
2.0任务
2.1确定技术参数
（1）确定工艺的特殊参数。
（2）工艺的反馈、支持和控制要求。
（3）声学特殊关照问题。
2.2设计功率放大器电路
1.设计输入输出滤波器。
2.设计功率放大器的输入和输出匹配网络。
3.设计功率放大器的中频电路。
4.设计功率放大器的功率放大级。
5.分析功率放大器的带外和带内响应。
2.3仿真和调整
1.将设计的电路进行仿真，对仿真结果进行分析。
2.调整电路参数，以获得更好的性能指标。
3.0要求
1.设计工艺的特殊参数，并与电路设计相一致。
2.设计满足功率输出、增益、输入输出阻抗适配和频率响应平坦的28GHz功率放大器电路。
3.仿真电路，分析仿真结果，并进行电路参数调整。
4.撰写完整的设计报告，对设计结果进行总结和评价。
4.0时间表
1.第1~2周：确定技术参数。
2.第3~5周：设计功率放大器电路。
3.第6周：完成电路的仿真和调整。
4.第7~8周：完成设计报告。
5.第9周：答辩。
5.0参考文献
1.Razavi,B.,&Behzad,R.(2000).ASiGeBiCMOSpoweramplifierfor2.4GHzwirelessLANapplications.IEEEJournalofSolid-StateCircuits,35(10),1523-1531.
2.Wang,C.,&Chang,K.(2002).A40GHzSiGeHBTpoweramplifierformillimeter-waveapplications.IEEEMicrowaveandGuidedWaveLetters,12(6),219-221.
3.Ng,T.,&Su,Y.(2005).A28-GHzSiGeBiCMOSPowerAmplifierwithEfficiencyEnhancementTechniquesforWirelessCommunications.InIEEEMTT-SInternationalMicrowaveSymposiumDigest(Vol.2,pp.1231-1234).
4.Yao,J.(2004).SiGeBiCMOSTechnologyandApplicationsinRFIntegratedCircuits(Doctoraldissertation,CaliforniaInstituteofTechnology).