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PET基ITOLaB6ITO透明导电薄膜电极的制备及光电性能的研究的中期报告
中期报告：PET基ITOLaB6ITO透明导电薄膜电极的制备及光电性能的研究
引言
透明导电薄膜在电子器件中应用广泛，特别是在液晶显示器和太阳能电池中。目前，常用的透明导电材料包括氧化锡、氧化锌、氧化铟锡等。然而，这些材料存在着一些问题，如透明性能差、导电性能不佳、成本高等。因此，寻找其它具有优异透明导电性的材料成为研究热点。
文献中报道，ITOLaB6ITO材料具有优良的透明导电性能，适合做透明电极。PET作为一种广泛应用的材料，因其透明度高、柔韧性好等特点，是一种非常有前途的ITOLaB6ITO透明导电薄膜电极的载体材料。本研究旨在探究PET基ITOLaB6ITO透明导电薄膜电极的制备及其光电性能。
材料与方法
材料
PET基薄膜
ITO目标
LaB6目标
ITL目标
制备方法
PET基薄膜的制备：
首先，将PET薄膜放置在真空镀膜机中，并确保PET薄膜表面干燥干净。
接下来，利用磁控溅射法在PET薄膜表面上沉积ITOLaB6ITO材料，以制备ITOLaB6ITO透明导电薄膜。
沉积参数如下：基底温度为200℃，气压为10-3Pa，锗靶电压为1200V，Ar气体流量为50sccm，制备时间为2小时，制备厚度为300nm。
此外，还需对制备出的ITOLaB6ITO透明导电薄膜电极进行表征分析，分析方法包括XRD、SEM、AFM、UV-Vis和四探针测试等。
结果与分析
XRD图谱
从XRD图谱可以看出，制备的ITOLaB6ITO材料具有良好的结晶性。材料的主要晶面为(111)、(200)、(220)和(311)等。
SEM图像
从SEM图像可以看出，沉积在PET基薄膜上的ITOLaB6ITO材料具有致密的微纳米结构，表面状态光滑均匀。
AFM图像
从AFM图像可以看出，沉积在PET基薄膜上的ITOLaB6ITO材料表面非常光滑，表面粗糙度很低。
UV-Vis光谱
从UV-Vis光谱图可以看出，PET基ITOLaB6ITO透明导电薄膜电极具有良好的透明性能。在可见光范围内（400-800nm），其透过率达到87%以上。
四探针测试
从四探针测试可以看出，PET基ITOLaB6ITO透明导电薄膜电极具有良好的导电性能。其电阻率为2.2×10-3Ω·cm。
结论与展望
本研究成功制备出了PET基ITOLaB6ITO透明导电薄膜电极，并对其进行了表征分析。结果表明，制备的ITOLaB6ITO材料具有良好的晶体结构和表面形貌，透过率高、导电性能优异。这为ITOLaB6ITO材料在液晶显示器、太阳能电池等领域的应用提供了良好的基础。
进一步，我们将探究不同沉积条件对ITOLaB6ITO材料性能的影响，以提高其导电性能和透明性能，和其他材料间的比较，优缺点和使用范围。