

Si掺杂的ZnSnO薄膜的制备和性能研究的任务书.docx
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Si掺杂的ZnSnO薄膜的制备和性能研究.docx
Si掺杂的ZnSnO薄膜的制备和性能研究摘要:ZnSnO材料作为一种新型的透明导电氧化物材料,具有广阔的应用前景。为了进一步改善其导电性能,本研究采用Si元素对ZnSnO薄膜进行掺杂,并对其制备方法和性能进行了研究。通过溶胶-凝胶法制备了不同Si掺杂浓度的ZnSnO薄膜,并通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜等手段对其进行了表征。结果表明,Si掺杂使ZnSnO薄膜的晶体结构有所改善,并且掺杂浓度为5%时薄膜的导电性能最佳。进一步的电学性能测试表明,掺杂浓度为5%的Si掺杂ZnSnO薄膜具有优异的透明导电
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稀土掺杂CdS薄膜的制备及性能研究的任务书任务书一、研究背景及意义:稀土元素是具有重要应用价值的战略资源,稀土掺杂可以有效地改善半导体材料的电性能和光性能,利用其在光电领域中的杰出性质可以制备出各类新型光电器件,如光电传感器、液晶显示器、太阳能电池等。CdS作为一种优良的n型半导体材料,其在电子器件,光电器件等领域得到了广泛的应用。然而,CdS材料容易与环境中的氧气、水、空气等发生反应而导致其光电性能降低。因此,对CdS薄膜进行稀土掺杂,可以有效地提高其稳定性和光电性能。因此,本研究旨在制备稀土掺杂的Cd