SOI SiGe HBT结构与集电区模型研究的任务书.docx

SOISiGeHBT结构与集电区模型研究的任务书
任务书
一、任务背景
SOISiGeHBT结构是一种高速、高电压的射频器件，在通信领域具有广泛的应用。集电区模型是评估器件性能和设计优化的重要方法之一，因此对SOISiGeHBT结构的集电区模型研究具有重要意义。本任务旨在深入研究SOISiGeHBT结构和集电区模型，探究其优化方案，提高器件性能。
二、任务目标
1.深入了解SOISiGeHBT结构的原理、特性和制备技术，掌握其制备过程和相关技术要点。
2.研究SOISiGeHBT结构的关键性能参数，如高频特性、噪声系数、电流增益等，并分析这些参数与结构设计、工艺参数等之间的关系。
3.深入研究SOISiGeHBT结构的集电区模型，探究其内部结构和工作原理，分析模型的优劣及其工程应用。
4.基于SOISiGeHBT结构的特性和集电区模型，设计出一套优化方案，提高器件性能。
三、任务内容
1.SOISiGeHBT结构的原理、特性和制备技术研究。包括SOISiGeHBT的结构设计、原理分析、相关理论分析等方面的内容。
2.关键性能参数的研究。分析高频特性、噪声系数、电流增益等关键性能参数随着结构设计、工艺参数等因素的变化而变化的规律，并探究影响这些参数的原因。
3.集电区模型的研究。深入了解SOISiGeHBT集电区模型的内部结构和原理，分析模型优劣及其应用。
4.优化方案设计。根据研究结果，提出一套SOISiGeHBT结构的优化方案，包括结构设计、工艺优化、性能改进等方面的内容。
四、任务要求
1.能独立完成任务，并具备相关领域的研究经验和基础知识。
2.熟练掌握相关理论知识和实验技术，并能有效运用于研究过程中。
3.具备较好的独立思考和分析问题的能力，能够深入研究和解决实际问题。
4.具有良好的团队合作精神和沟通能力，能够与团队成员协同工作，共同完成任务。
五、任务评估标准
1.完成任务的进度和质量。
2.在研究过程中能否独立思考并提出创新性方案。
3.研究成果的实用性和推广价值。
4.实验、分析文献和撰写论文的质量。
六、参考文献
1.Li,X.(2014).SiliconphotonicandelectronicdevicesbasedonSiGeheterojunctionbipolartransistors.SpringerInternationalPublishing.
2.Ponomarenko,T.A.,Baramsai,B.,&Feng,M.(2016).A180nmSOISiGeBiCMOStechnologyforRFandmm-waveapplications.InIEEEInternationalSOIConference(pp.1-2).
3.Wong,K.T.(2016).High-SpeedSOIHBTswithLow-RinCollectorContacts.IEEETransactionsonElectronDevices,63(9),3402-3408.
4.Tang,D.,Di,M.,Li,X.,&Huang,Z.(2017).SubstratecurrentinducednoiseinSiGeheterojunctionbipolartransistorsonanSOIsubstrate.JournalofSemiconductors,38(11),111003.
5.Hwang,D.O.,Wang,S.W.,&Kim,D.K.(2017).Simplifiedmodelingofsiliconbipolarjunctiontransistorforanalogcircuitdesign.JournalofSemiconductors,38(7),071004.