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AlN纳米线的可控制备及其发光性能研究的任务书
任务书
论文题目：AlN纳米线的可控制备及其发光性能研究
论文主要研究内容：AlN纳米线的可控制备及其发光性能研究
研究背景：AlN是一种具有重要应用前景的材料，具备优异的光电学和热学性能，尤其在大功率、高频和高温应用领域具有特殊的优势。AlN近年来受到广泛关注，尤其是其纳米材料的制备技术和性能研究已成为研究热点。AlN纳米线作为一种具有很大潜力的新型材料，其特殊的发光性能引起了人们的极大关注。因此，对AlN纳米线的控制制备及其发光性能的研究具有重要的科学研究价值和应用前景。
研究目的：本论文旨在以AlCl3和NH3为原料，通过无催化剂的化学气相沉积法（CVD）成功制备出高质量的AlN纳米线，并研究其宽度、长度对其光学性质的影响。
研究内容和方法：
1.AlN纳米线的制备
采用化学气相沉积法（CVD）制备AlN纳米线，采用AlCl3和NH3为原料，无催化剂。在清洁的石英载体上，在真空条件下升温到1000℃，并将具有0.001mol/LAlCl3气体的气氛推入反应炉。通过改变反应气体比例和反应参数来调节纳米线的尺寸和形貌。利用场发射扫描电子显微镜（FESEM）来表征所制备的AlN纳米线的形貌和结构。
2.AlN纳米线的表征
采用低温荧光光谱仪来测试所制备AlN纳米线的发光性能，并研究其宽度、长度对其光学性质的影响。
3.实验设计
-设置不同AlCl3气体流量和NH3气体流量，研究不同反应条件下的AlN纳米线的形貌和结构。
-通过改变反应时间来研究纳米线的生长速度。
-测试不同宽度、长度的AlN纳米线的发光性能，并通过低温荧光光谱仪来分析。
-利用傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）和X射线衍射仪（XRD）对纳米线的结构进行表征。
预期结果：
通过对AlN纳米线的可控制备及其发光性能的研究，本论文预期能够得出以下结果：
-成功制备出高质量的AlN纳米线，并确定其生长条件和制备工艺。
-研究AlN纳米线宽度、长度对其光学性质的影响。
-发现AlN纳米线在低温下表现出强烈的发光现象，并进一步分析其发光机理和特性。
-通过傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）和X射线衍射仪（XRD）分析，初步确定AlN纳米线的结构。
研究意义：本论文的研究成果有助于深入理解AlN纳米线的生长机制、表征方法和发光特性，并对其在电子、光电和新型显示器件等领域内的应用提供基础研究支撑。同时，能够为AlN纳米线的制备技术和发光性能研究提供新的思路和手段，并对相关领域的研究和应用产生重要的推动作用。
预期完成时间：2021年6月底。
论文撰写人员及任务分配：
-任务1:陈明，负责AlN纳米线的制备；
-任务2:张强，负责AlN纳米线的表征；
-任务3:王翔，负责实验设计、结果分析和撰写论文。
论文指导教师：李教授
备注：本任务书仅供参考，具体实施方案和时间节点需根据实际情况具体制定。