0.13微米SOI器件总剂量辐射效应及SPICE模型研究的任务书.docx

0.13微米SOI器件总剂量辐射效应及SPICE模型研究的任务书
任务背景
辐射效应是半导体器件中一个长期以来被研究的问题。当半导体器件处在辐射环境中时，其电学性能会受到辐射效应的影响。这种影响可能会导致器件的性能降低、失效或者变得不可靠，这对于高可靠的电子系统来说是不可接受的。因此，对于辐射效应的研究一直是半导体器件工作者关注的重点。而SOI器件是近年来发展较快的一类半导体器件，其遇到的辐射问题也需要得到重视。
任务目的
本次任务旨在对0.13微米SOI器件在总剂量辐射环境下的电学性能进行研究，并通过建立SPICE模型来分析其电学特性。
任务内容
1.0SOI器件的选型
本研究将以0.13微米的SOI器件为研究对象，需要根据研究的需要选择合适的器件。
2.0辐射环境的模拟
使用模拟辐射源对SOI器件进行放射性辐射，以模拟实际应用中可能遇到的辐射环境。
3.0总剂量辐照后的电学性能测试
通过实验测试，对辐射后的SOI器件的电学性能进行分析，包括：
a.静态特性：包括漏电流、开关特性等参数；
b.动态特性：包括开关速度、时序等参数。
4.0SPICE模型的建立与验证
基于对SOI器件的测试数据，建立适用于SPICE仿真的模型，并对模型进行验证。
5.0结论与建议
基于实验测试和模型仿真结果，得出结论并提出相关的研究建议。
任务时间
本次任务周期为4个月，计划如下：
第一阶段（1个月）：选型和辐射环境模拟；
第二阶段（2个月）：实验测试和模型建立；
第三阶段（1个月）：验证、结论和建议。
任务报告
本次任务的报告需要包括以下部分：
1.0研究背景和目的；
2.0实验测试和模型建立的过程和方法；
3.0实验测试和模型仿真结果分析；
4.0结论和建议；
5.0参考文献。
参考文献
1.张平、陈彦、李兰、李富岳.航空航天领域集成电路辐射效应研究现状与进展[J].现代电子技术,2014,37(11):20-26.
2.王祖业、朱文忠、游飞龙.高可靠性电子系统应对辐射的一些研究[J].微电子学与计算机,2010,27(8):21-25.
3.叶高峰、闫飞鹰.总离子辐射作用下数字CMOS集成电路的时滞效应研究[J].微电子学与计算机,2006,23(2):50-53.