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GaN基电子器件势垒层应变与极化研究任务书
任务书
任务名称：GaN基电子器件势垒层应变与极化研究
任务目标：
1.研究GaN基电子器件势垒层应变对电子输运性质的影响；
2.探究GaN基电子器件势垒层应变对电子能带结构的调控机制；
3.分析GaN基电子器件势垒层极化效应对器件性能的影响。
任务描述：
随着半导体器件技术的不断发展，GaN材料逐渐成为半导体材料领域的热门研究方向。GaN材料具有较高的电子迁移率、较高的电子饱和漂移速度、较高的崩溃场强度等优异的电学性能。因此，GaN材料被广泛应用于各种高功率电子器件，如功率场效应晶体管（FET）、异质结场效应晶体管（HFET）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。
GaN材料中的电子输运与其晶格结构密切相关。势垒层是电子在半导体器件中穿越的障碍，也被称为空间电荷层。因此，势垒层的特性对于半导体器件的性能具有至关重要的影响。GaN材料中的势垒层常常受到应变的影响，这会对势垒层的形态、宽度、电子密度分布等产生影响。此外，GaN材料中的势垒层还可能存在极化效应，其对半导体器件的性能也具有重要的影响。
因此，本研究旨在探究GaN基电子器件势垒层应变与极化效应对器件性能的影响机制。具体研究内容包括：
1.使用材料学和物理学方法，制备GaN基电子器件，并对其进行物理性质表征；
2.研究GaN基电子器件势垒层应变对器件电流-电压特性、电学性能等的影响；
3.探究GaN基电子器件势垒层应变对电子能带结构的调控机制；
4.分析GaN基电子器件势垒层极化效应对器件性能的影响；
5.对研究结果进行总结和讨论，提出未来的研究方向。
任务计划：
本研究计划总时间为12个月。具体计划如下：
第1-3个月
1.搜集GaN材料与电子器件的相关文献，了解GaN材料的基本物理性质和制备方法；
2.学习电子器件测试技术和物理性质表征技术；
3.确定实验方法和测试方案，准备材料和器件。
第4-6个月
1.制备GaN基电子器件，并对其进行物理性质表征；
2.测试GaN基电子器件的电流-电压特性、电学性能等。
第7-9个月
1.研究GaN基电子器件势垒层应变对器件电流-电压特性、电学性能等的影响；
2.探究GaN基电子器件势垒层应变对电子能带结构的调控机制。
第10-12个月
1.分析GaN基电子器件势垒层极化效应对器件性能的影响；
2.对研究结果进行总结和讨论，提出未来的研究方向。
预期成果：
1.研究GaN基电子器件势垒层应变对电子输运性质的影响，为GaN材料电学性能的优化提供新思路；
2.探究GaN基电子器件势垒层应变对电子能带结构的调控机制，为GaN材料在电子器件领域的应用提供理论指导；
3.分析GaN基电子器件势垒层极化效应对器件性能的影响，为制备高性能GaN电子器件提供理论指导。