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高压下InAs的电学性质研究的开题报告
一、研究背景及意义
随着电子技术的不断发展，对半导体材料在高压下的电学性质研究需求越来越高。半导体材料的电学性质是指材料在电场或电流作用下的电导率、电阻率、电子迁移率以及载流子浓度等物理性质。在高压下，晶格受到极大的压力，发生的变化会对电学性质产生不可忽略的影响。因此，对半导体材料在高压下的电学性质进行深入的研究，对于半导体材料的研究和应用具有重要的意义。
本文主要研究半导体材料InAs在高压下的电学性质，以期为其在电子器件中应用提供新的研究思路。
二、研究方法
1.实验方法
本研究将采用高压电学测试法对InAs在不同压力下的电学性质进行测试。实验过程中，我们将采用脉冲法测量InAs在不同压力下的电导率，同时利用霍尔效应测量InAs的电子迁移率和载流子浓度。
2.样品制备方法
我们将利用分子束外延技术生长InAs材料。在生长过程中，我们将采用InAs薄膜厚度反射法，以确保生长出的InAs薄膜厚度均匀。
三、预期结果
我们将测试InAs在不同压力下的电学性质，并得到其电导率、电阻率、电子迁移率和载流子浓度等物理参数。结合实验结果，我们将探讨高压下InAs的电学性质受到的影响，并分析其机理。
四、参考文献
[1]吴琼明,王鹿棣,陈桥[J].半导体物理学报,1994(2):753-758.
[2]热电材料高压下电学性质的研究[D].硕士学位论文.北京航空航天大学,2017.
[3]袁伟[J].材料科学与工艺,2010(1):101-104.
[4]王诚,许琳娟,窦家怡,等[J].物理学报,2011(10):1081-1085.