基于SCR的ESD技术与电路研究的任务书.docx
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基于SCR和LDMOS的ESD防护器件研究与设计的任务书.docx
基于SCR和LDMOS的ESD防护器件研究与设计的任务书任务背景:ESD(ElectrostaticDischarge)是一种比较常见的电子设备损坏原因,主要指在电子元器件和电子设备电路中,由于静电放电而导致元器件损坏或者性能变差的现象。ESD对集成电路、电子计算机、通讯设备、电子仪器仪表、航空航天等电子设备有着非常严重的危害。为了对抗ESD的威胁,研究防护器件显得尤为重要。在现有防护器件中,SCR(SiliconControlRectifier)和LDMOS(LaterallyDiffusedMetal
基于SiGe工艺的射频ESD电路研究与设计的任务书.docx
基于SiGe工艺的射频ESD电路研究与设计的任务书任务书一、任务背景随着智能手机、物联网等无线通信技术的快速发展,高性能射频(RadioFrequency,简称RF)电路在无线通信系统中的应用越来越广泛,其发挥的作用也越来越重要。而在射频电路设计过程中,电静电放电(Electro-StaticDischarge,简称ESD)问题的解决也显得极其关键。因此,基于SiGe工艺的射频ESD电路研究与设计具有重要的实际意义和研究价值。二、任务目标本研究的主要目标是探究基于SiGe工艺的射频ESD电路的设计方法和优
SCR结构参数对ESD防护性能的影响研究的任务书.docx
SCR结构参数对ESD防护性能的影响研究的任务书任务书研究SCR结构参数对ESD防护性能的影响一、研究背景ESD(Electrostaticdischarge,静电放电)是指由于静电在介质之间引起的一种高电场放电现象,易造成芯片损坏,因此,在芯片设计中添加ESD防护设计是非常必要的。SCR(SiliconControlledRectifier,硅可控整流器)被广泛应用于ESD保护芯片电路中,它可以在芯片受到ESD冲击时,快速将电流引入地,从而降低芯片受损的风险。但是,不同的SCR结构参数对其ESD防护能力
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基于SCR和LDMOS的ESD防护器件研究与设计的开题报告一、选题背景在集成电路设计中,由于静电放电(ESD)的存在,不仅会对芯片本身产生损害,也会严重影响产品的可靠性和性能,因此需要在芯片设计中引入有效的ESD保护措施。当前,针对ESD保护,主流技术包括ESD保护器件和设计布局等方面,其中ESD保护器件不仅占据了技术的核心,更直接影响了ESD保护效果和芯片的可靠性。在ESD保护器件中,SCR和LDMOS分别是广泛采用的技术。其中,SCR因其快速响应时间和低压降等特点,在ESD保护中被广泛应用;LDMOS