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FBAR用AlN薄膜的MOCVD制备的任务书
任务书
题目：利用MOCVD技术制备AlN薄膜作为FBAR中间层的研究
任务描述：
随着无线通讯技术的发展，FBAR（FilmBulkAcousticResonator）作为一种新型无源滤波器广泛应用于手机等设备中。其中，AlN薄膜作为FBAR的中间层，起到了重要的作用。
本研究旨在利用MOCVD（金属有机化学气相沉积）技术制备AlN薄膜，并对其晶体结构、表面形貌、光学性质等进行研究，为FBAR的制备提供优质、稳定的AlN材料。
具体任务如下：
1.搜集AlN薄膜MOCVD制备的相关文献，了解其制备过程和影响AlN薄膜性能的因素。
2.构筑MOCVD实验平台，利用三角反应室装置，采用TMAl（三甲基铝）和NH3（氨气）作为前体材料，在不同工艺条件下制备AlN薄膜。
3.对制备得到的AlN薄膜进行表征，包括X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、拉曼光谱等，了解其晶体结构、表面形貌、光学性质等。
4.分析实验结果，优化制备工艺，提高AlN薄膜的质量和稳定性。
5.结合已有研究，探究AlN薄膜在FBAR中的作用机理，为FBAR的制备提供理论支持。
6.综合实验结果和理论分析，撰写研究论文，为相关领域研究提供参考和借鉴。
时间安排：
第一周：搜集AlN薄膜MOCVD制备的相关文献，了解其制备过程和影响AlN薄膜性能的因素。
第二周：构筑MOCVD实验平台，准备制备AlN薄膜所需的前体材料和实验设备。
第三周-第六周：制备AlN薄膜，对制备过程进行控制，并记录制备条件。
第七周-第九周：对制备得到的AlN薄膜进行表征，包括XRD、SEM、AFM、拉曼光谱等。
第十周-第十二周：分析实验结果，优化制备工艺，提高AlN薄膜的质量和稳定性。
第十三周-第十五周：探究AlN薄膜在FBAR中的作用机理，为FBAR的制备提供理论支持。
第十六周-第十七周：撰写研究论文，进行论文修改和完善。
注意事项：
1.在实验过程中，注意安全，合理规划操作步骤，防止事故的发生。
2.在撰写论文时，注意论文结构和文献引用准则，严禁抄袭。
3.及时记录实验数据，注意数据的准确性，并进行及时分析总结。